[發明專利]一種偏饋式微波天線

有效

• 申請號: 201110210941.4
• 申請日: 2011-07-26
• 公開（公告）號: CN102480033A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 劉若鵬;季春霖;岳玉濤;李云龍
• 申請（專利權）人: 深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創新技術有限公司
• 主分類號: H01Q15/00
• 分類號: H01Q15/00;H01Q15/23;H01Q19/06;H01Q19/10
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1.一種偏饋式微波天線，其特征在于：包括饋源、第一超材料面板以及貼附于所述第一超材料面板背部的反射面板，所述第一超材料面板包括相互緊貼的第一核心超材料片層至第N核心超材料片層，每一核心超材料片層均包括第一基材以及周期排布于所述第一基材上的多個第一人造金屬微結構，所述每一核心超材料片層按照折射率分布劃分為多個帶狀區域，以一定點為圓心，所述多個帶狀區域上相同半徑處的折射率相同，且每一帶狀區域上隨著半徑的增大折射率逐漸減小，相鄰兩個帶狀區域，處于內側的帶狀區域的折射率的最小值小于處于外側的帶狀區域的折射率的最大值，所述圓心與所述饋源的連線垂直于所述第一超材料面板且所述圓心不與所述第一超材料面板的中心點重合。

2.如權利要求1所述的偏饋式微波天線，其特征在于：所述第N核心超材料片層緊貼所述反射面板，且所述第N核心超材料片層上的所有帶狀區域具有相同的折射率變化范圍，即每一帶狀區域的折射率均由最大值n_max連續減小到最小值n_min。

3.如權利要求2所述的偏饋式微波天線，其特征在于：所述第N核心超材料片層的折射率分布滿足公式：

n(r)=nmax-r2+s2-(ML+segk)2+s2d;]]>

segk=(v0+kλ)2-s2-v02-s2;]]>

k=floor{(|r-ML|+vo2-s2)2+s2-v0λ};]]>

vo=ML2+s2;]]>

其中，n(r)表示第N核心超材料片層上半徑為r處的折射率值、s為饋源到第一核心超材料片層的垂直距離、d為所有的核心超材料片層所具有的總厚度、λ為所述偏饋式微波天線的工作頻率的波長值、M_L為所述圓心到所述核心超材料片層下邊緣的垂直距離。