[發(fā)明專利]鍍膜的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110210471.1
• 申請日: 2011-07-26
• 公開（公告）號: CN102899608A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃浩榕;周皓煜;康嘉濱;林哲瑋
• 申請（專利權(quán)）人: 群康科技（深圳）有限公司;奇美電子股份有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及膜層的形成方法，且特別是涉及在大尺寸的基板上進行鍍膜的方法。

背景技術(shù)

有機發(fā)光二極管(Organic?Light?Emittine?Diode；OLED)具有結(jié)構(gòu)簡單、不需外加背光源、分辨率高、像素獨立色彩表現(xiàn)佳、反應(yīng)時間較短等優(yōu)異的特性，目前已普遍運用于平面顯示器的全彩化的制作工藝技術(shù)中。

有機發(fā)光二極管顯示元件的制作方法是利用掩模(Shadow?Mask)與像素對位技術(shù)將有機發(fā)光材料蒸鍍于玻璃基板上以形成一圖案化的有機發(fā)光層，其中掩模是由一金屬薄膜以及一與金屬薄膜的周邊區(qū)相連的框架構(gòu)成。

近年來，隨著玻璃基板的制作技術(shù)日益進步，玻璃基板的尺寸日益增加，因此，需要使用尺寸較大的掩模。然而，掩模的尺寸增加會衍生出一些問題，例如：框架尺寸增加會導(dǎo)致重量增加且容易變形，因此，在儲存、搬運、與制作工藝中對人員的操作以及機臺設(shè)計會增加許多難度，以致于制作成本提高；金屬薄膜的尺寸受到供應(yīng)商的限制，故不易取得大尺寸的金屬薄膜；以及隨著金屬薄膜的尺寸增加，用以加工金屬薄膜的機具也需配合放大，以致于制作成本大幅提高。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述問題，本發(fā)明一實施例提供一種鍍膜的方法，包括：提供一基板、以及一鍍膜源與基板相對，提供一陰影掩模單元于基板與鍍膜源之間且對應(yīng)于基板的一第一區(qū)域，其中陰影掩模單元具有一開口圖案；以陰影掩模單元為掩模，利用鍍膜源進行一第一鍍膜制作工藝，以于開口圖案所暴露出的第一區(qū)域上形成一第一圖案化鍍膜；使陰影掩模單元與基板之間相對位移，以使位移后的陰影掩模單元對應(yīng)于基板的一第二區(qū)域，第二區(qū)域與第一區(qū)域部分重疊或是彼此分離；以及以陰影掩模單元為掩模，利用鍍膜源進行一第二鍍膜制作工藝，以于開口圖案所暴露出的第二區(qū)域上形成一第二圖案化鍍膜。

附圖說明

圖1A至圖1D為本發(fā)明一實施例的鍍膜制作工藝的上視圖；

圖2A至圖2D分別為圖1A至圖1D沿I-I’線段的剖視圖；

圖3A為本發(fā)明另一實施例的鍍膜制作工藝的上視圖；

圖3B為圖3A沿I-I’線段的剖視圖；

圖4為本發(fā)明又一實施例的鍍膜制作工藝的上視圖；

圖5為本發(fā)明一實施例的鍍膜制作工藝的上視圖；

圖6A至圖6C為本發(fā)明一實施例的鍍膜制作工藝的上視圖；

圖7A至圖7C分別為圖6A至圖6C沿I-I’線段的剖視圖；

圖8為本發(fā)明另一實施例的鍍膜制作工藝的上視圖。

主要元件符號說明

110～基板；

112～表面；

120～鍍膜源；

130～陰影掩模單元；

132～開口圖案；

132a～開口；

134～金屬薄膜；

136～框架；

142、144、144a、146、148～圖案化鍍膜；

A1～第一區(qū)域；

A2～第二區(qū)域；

A3～第三區(qū)域；

L1、L2～長度；

V1、V2、V3、V4、V5、V6～移動方向；

W1、W2～寬度。

具體實施方式

以下將詳細說明本發(fā)明實施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實施。文中所舉例討論的特定實施例僅為制造與使用本發(fā)明的說明，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地敘述本發(fā)明，不代表所討論的不同實施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)連性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。在附圖中，實施例的形狀或是厚度可擴大，以簡化或是方便標(biāo)示。

圖1A至圖1D繪示本發(fā)明一實施例的鍍膜制作工藝的上視圖。圖2A至圖2D分別繪示圖1A至圖1D沿I-I’線段的剖視圖。

請同時參照圖1A與圖2A，提供一基板110、以及一鍍膜源120與基板110相對，其中鍍膜源120例如為一蒸發(fā)源，其適于在基板上蒸鍍電激發(fā)光材料，例如有機發(fā)光二極管(OLED)材料。基板110例如為一玻璃基板。在基板110與鍍膜源120之間提供一陰影掩模單元130，且陰影掩模單元130對應(yīng)于基板110的一第一區(qū)域A1。在一實施例中，陰影掩模單元130配置于第一區(qū)域A1上。