[發(fā)明專利]鍍膜的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110210471.1 | 申請日: | 2011-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN102899608A | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃浩榕;周皓煜;康嘉濱;林哲瑋 | 申請(專利權(quán))人: | 群康科技(深圳)有限公司;奇美電子股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鍍膜 方法 | ||
1.一種鍍膜的方法,包括:
提供一基板、以及一鍍膜源與該基板相對,提供一陰影掩模單元于該基板與該鍍膜源之間且對應(yīng)于該基板的一第一區(qū)域,其中該陰影掩模單元具有一開口圖案;
以該陰影掩模單元為掩模,利用該鍍膜源進行一第一鍍膜制作工藝,以于該開口圖案所暴露出的該第一區(qū)域上形成一第一圖案化鍍膜;
使該陰影掩模單元與該基板之間相對位移,以使位移后的該陰影掩模單元對應(yīng)于該基板的一第二區(qū)域,該第二區(qū)域與該第一區(qū)域部分重疊或是彼此分離;以及
以該陰影掩模單元為掩模,利用該鍍膜源進行一第二鍍膜制作工藝,以于該開口圖案所暴露出的該第二區(qū)域上形成一第二圖案化鍍膜。
2.如權(quán)利要求1所述的鍍膜的方法,其中使該陰影掩模單元與該基板之間相對位移的步驟包括:
在該基板的位置固定時,移動該陰影掩模單元。
3.如權(quán)利要求2所述的鍍膜的方法,其中使該陰影掩模單元與該基板之間相對位移的步驟還包括:
移動該鍍膜源,以對齊該陰影掩模單元。
4.如權(quán)利要求2所述的鍍膜的方法,其中該陰影掩模單元位于該基板的一表面上,且該陰影掩模單元的移動方向平行于該表面的任一方向。
5.如權(quán)利要求1所述的鍍膜的方法,其中使該陰影掩模單元與該基板之間相對位移的步驟包括:
在該陰影掩模單元的位置固定時,移動該基板。
6.如權(quán)利要求5所述的鍍膜的方法,其中該陰影掩模單元位于該基板的一表面上,且該基板的移動方向平行于該表面的任一方向。
7.如權(quán)利要求1所述的鍍膜的方法,其中該第一圖案化鍍膜與該第二圖案化鍍膜彼此分離或是彼此部分重疊。
8.如權(quán)利要求1所述的鍍膜的方法,還包括:
使該陰影掩模單元與該基板之間再次相對位移,以使再次位移后的該陰影掩模單元對應(yīng)于該基板的一第三區(qū)域,該第三區(qū)域與該第一區(qū)域及該第二區(qū)域部分重疊或是彼此分離;以及
以該陰影掩模單元為掩模,利用該鍍膜源進行一第三鍍膜制作工藝,以于該開口圖案所暴露出的該第三區(qū)域上形成一第三圖案化鍍膜。
9.如權(quán)利要求8所述的鍍膜的方法,其中該陰影掩模單元的寬度大于或等于該基板的寬度,且該相對位移的方向平行于該再次相對位移的方向。
10.如權(quán)利要求8所述的鍍膜的方法,其中該陰影掩模單元的寬度小于該基板的寬度,且該陰影掩模單元的長度小于該基板的長度,其中該相對位移的方向不平行于該再次相對位移的方向。
11.如權(quán)利要求10所述的鍍膜的方法,其中該相對位移的方向垂直于該再次相對位移的方向。
12.如權(quán)利要求1所述的鍍膜的方法,其中該第一鍍膜制作工藝與該第二鍍膜制作工藝為蒸鍍制作工藝。
13.如權(quán)利要求1所述的鍍膜的方法,其中該第一圖案化鍍膜與該第二圖案化鍍膜的材質(zhì)包括電激發(fā)光材料。
14.如權(quán)利要求1所述的鍍膜的方法,其中該陰影掩模單元的面積小于該基板的面積。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





