[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)以及半導(dǎo)體封裝工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110209931.9
• 申請(qǐng)日: 2011-07-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102244062A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳光雄;王圣民;張勖帆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括：

基板，具有承載面，且該承載面上設(shè)有至少一第一接墊；

芯片，具有第一表面以及相對(duì)于該第一表面的第二表面，該芯片通過(guò)該第二表面貼附于該基板的該承載面，且該第一表面上設(shè)有至少一第二接墊；

至少一金屬疊層，設(shè)置于該第一接墊上，每一金屬疊層包括鎳層、鈀層以及金層，其中該鈀層位于該鎳層與該金層之間，而該鎳層位于該鈀層與該第一接墊之間，且該鎳層的厚度大于等于1.5微米，小于等于3微米；以及

至少一銅導(dǎo)線，分別連接于該第二接墊與相應(yīng)的該金屬疊層之間，以電性連接該芯片與該基板的該第一接墊。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中每一銅導(dǎo)線的一端與相應(yīng)的該第二接墊之間形成第一接點(diǎn)，而每一銅導(dǎo)線的另一端與相應(yīng)的該金屬疊層之間形成第二接點(diǎn)，第一接點(diǎn)為球形接點(diǎn)，第二接點(diǎn)為縫形接點(diǎn)，其第一接點(diǎn)形成于第二接點(diǎn)之前。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中每一銅導(dǎo)線的一端與相應(yīng)的該金屬疊層之間形成第一接點(diǎn)，而每一銅導(dǎo)線的另一端與相應(yīng)的該第二接墊之間形成第二接點(diǎn)，第一接點(diǎn)為球形接點(diǎn)，第二接點(diǎn)為縫形接點(diǎn)，其第一接點(diǎn)形成于第二接點(diǎn)之前。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中各該銅導(dǎo)線表面形成一層抗氧化層為鈀，即為銅鍍鈀導(dǎo)線。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中各該銅導(dǎo)線表面形成一層抗氧化層，該抗氧化層為兩種或兩種以上金屬元素組成，該金屬元素為金、鈀、鉑、銠、銀或鎳。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中該鈀層的厚度小于或等于0.3微米。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中該金層的厚度小于或等于0.15微米。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中該金屬疊層的硬度小于或等于180HV。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中該芯片的該第一表面還包括第三接墊和第四接墊，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)還包括至少一金導(dǎo)線，分別連接該第三接墊和該第四接墊，以電性連接該第三接墊和該第四接墊。

10.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括：

基板，具有承載面以及相對(duì)應(yīng)于該第一承載面的底面，且該承載面上設(shè)有至少一第一接墊，該底面上設(shè)有至少一第五接墊；

芯片，具有第一表面以及相對(duì)于該第一表面的第二表面，該芯片通過(guò)該第二表面貼附于該基板的該第一承載面，且該第一表面上設(shè)有至少一第二接墊；

至少一第一金屬疊層設(shè)置于該第一接墊上，以及至少一第二金屬疊層設(shè)置于該第五接墊上，該第一金屬疊層和該第二金屬疊層分別包括鎳層、鈀層以及金層，其中該鈀層位于該鎳層與該金層之間，而該鎳層位于該鈀層與該第一接墊之間，且該鎳層的厚度大于等于1.5微米，小于等于3微米；

至少一銅導(dǎo)線，分別連接于該第二接墊與相應(yīng)的該第一接墊上的該金屬疊層之間，以電性連接該芯片與該基板的該第一接墊；以及

至少一焊球，分別配置于該第二金屬疊層上。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中各該銅導(dǎo)線表面形成一層抗氧化層為鈀，即為銅鍍鈀導(dǎo)線。

12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中各該銅導(dǎo)線表面形成一層抗氧化層，該抗氧化層為兩種或兩種以上金屬元素組成，該金屬元素為金、鈀、鉑、銠、銀或鎳金屬元素。

13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中該鈀層的厚度小于或等于0.3微米。

14.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中該金層的厚度小于或等于0.15微米。

15.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一金屬疊層或第一金屬疊層的硬度小于或等于180HV。