[發明專利]半導體承載件暨封裝件及其制法無效
| 申請號: | 201110208031.2 | 申請日: | 2011-07-20 |
| 公開(公告)號: | CN102867801A | 公開(公告)日: | 2013-01-09 |
| 發明(設計)人: | 林邦群;蔡岳穎;陳泳良 | 申請(專利權)人: | 矽品精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495;H01L23/31;H01L23/00;H01L21/60;H01L21/56;H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 承載 封裝 及其 制法 | ||
1.一種半導體承載件,包括:
第一封裝層,具有多個貫穿的頂寬底窄的錐形孔;
電性接點,形成于各該錐形孔中而呈錐形;以及
多路線路,形成于該第一封裝層的頂面上,各該線路的一端連接各該電性接點,各該線路的另一端形成有焊指墊,該等焊指墊以圍繞方式配置,以于該第一封裝層的頂面上定義出一置晶區。
2.根據權利要求1所述的半導體承載件,其特征在于,該半導體承載件還包括承載板,其設于該第一封裝層的底面上。
3.根據權利要求1所述的半導體承載件,其特征在于,該電性接點為金/鈀/鎳/鈀、金/鎳/銅/鎳/金、金/鎳/銅/鎳/銀、金/鎳/銅/銀、鈀/鎳/鈀、金/鎳/金、或鈀/鎳/金的自底部依序構成的多層金屬。
4.根據權利要求1所述的半導體承載件,其特征在于,該電性接點與線路為一體成型或分別成型。
5.一種半導體封裝件,其包括:
第一封裝層,具有多個貫穿的頂寬底窄的錐形孔;
電性接點,形成于各該錐形孔中而呈錐形;
多路線路,形成于該第一封裝層的頂面上,各該線路的一端連接各該電性接點,各該線路的另一端形成有焊指墊,該等焊指墊以圍繞方式配置,以于該第一封裝層的頂面上定義出一置晶區;
半導體芯片,設置于該置晶區中的該第一封裝層的頂面上;
多個導電組件,用于將該半導體芯片電性連接至各該焊指墊;以及
第二封裝層,其覆蓋該半導體芯片、導電組件、線路與第一封裝層。
6.根據權利要求5所述的半導體封裝件,其特征在于,該半導體封裝件還包括焊球,其形成于該第一封裝層底面的各該電性接點上。
7.根據權利要求5所述的半導體封裝件,其特征在于,于該半導體芯片與該第一封裝層之間還包括粘著層。
8.根據權利要求7所述的半導體封裝件,其特征在于,該粘著層的材質為玻璃粉、環氧樹脂、或干膜。
9.根據權利要求5所述的半導體封裝件,其特征在于,該電性接點為金/鈀/鎳/鈀、金/鎳/銅/鎳/金、金/鎳/銅/鎳/銀、金/鎳/銅/銀、鈀/鎳/鈀、金/鎳/金、或鈀/鎳/金的自底部依序構成的多層金屬。
10.根據權利要求5所述的半導體封裝件,其特征在于,該電性接點與線路為一體成型或分別成型。
11.一種半導體承載件的制法,包括:
于一承載板上形成第一封裝層;
于該第一封裝層中形成多個頂寬底窄的錐形孔,以外露該承載板;以及
于各該錐形孔中形成錐形的電性接點,并于該第一封裝層上形成多路線路,各該線路的一端連接各該電性接點,各該線路的另一端形成有焊指墊,該等焊指墊以圍繞方式配置,以于該第一封裝層上定義出一置晶區。
12.根據權利要求11所述的半導體承載件的制法,其特征在于,該半導體承載件還包括移除該承載板。
13.根據權利要求11所述的半導體承載件的制法,其特征在于,該電性接點與線路的形成步驟包括:
于該具有錐形孔的第一封裝層上形成阻層,該阻層具有多個外露該錐形孔與第一封裝層的阻層開口區;
于該阻層開口區中形成該電性接點與線路;以及
移除該阻層。
14.根據權利要求11所述的半導體承載件的制法,其特征在于,該電性接點為金/鈀/鎳/鈀、金/鎳/銅/鎳/金、金/鎳/銅/鎳/銀、金/鎳/銅/銀、鈀/鎳/鈀、金/鎳/金、或鈀/鎳/金的自底部依序構成的多層金屬。
15.根據權利要求11所述的半導體承載件的制法,其特征在于,形成該錐形孔的方式為雷射鉆孔或機械鉆孔。
16.根據權利要求11所述的半導體承載件的制法,其特征在于,該電性接點與線路為一體成型或分別成型。
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