[發(fā)明專利]紫外探測器的像素結(jié)構(gòu)、紫外探測器系統(tǒng)及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110206933.2
• 申請日: 2011-07-22
• 公開（公告）號: CN102891150A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 殷華湘;陳大鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/0376;H01L31/101
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明;王寶筠

1.一種紫外探測器的單位像素結(jié)構(gòu)，包括紫外探測器和與紫外探測器連接的讀出電路，其特征在于，所述讀出電路由一個或多個TFT器件組成，所述讀出電路的TFT器件的第一有源層以及所述紫外探測器的光電探測層為非晶態(tài)氧化物半導(dǎo)體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單位像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述紫外探測器為MSM型或TFT型。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單位像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單位像素結(jié)構(gòu)包括：

襯底，所述襯底具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；

第一區(qū)域上的一個或多個TFT器件，包括：第一柵電極，第一柵電極上的第一柵絕緣層，第一柵絕緣層上的第一有源層，第一柵電極兩側(cè)的第一有源層上的第一源漏電極；

第二區(qū)域上的MSM型紫外探測器，包括：光電探測層，光電探測層上的第二電極；以及

覆蓋第一源漏電極、第一有源層、光電探測層和第二電極的鈍化層，第一有源層的鈍化層之上的光屏蔽層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單位像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單位像素結(jié)構(gòu)包括：

襯底，所述襯底具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；

第一區(qū)域上的一個或多個TFT器件，包括：第一柵電極，第一柵電極上的第一柵絕緣層，第一柵絕緣層上的第一有源層，第一柵電極兩側(cè)的第一有源層上的第一源漏電極；

第二區(qū)域上的TFT型紫外探測器，包括：第二柵電極，第二柵電極上的第二柵絕緣層，第二柵絕緣層上的光電探測層，第二柵電極兩側(cè)的光電探測層上的第二源漏電極；以及，

覆蓋第一源漏電極、第一有源層、光電探測層和第二源漏電極的鈍化層，第一有源層的鈍化層之上的光屏蔽層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的單位像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述讀出電路為PPS、APS或DPS。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述光電探測層或第一有源層從包含以下元素的組中選擇形成：InGaZnO、InZnO、HfInZnO、TaInZnO、ZrInZnO、YInZnO、AlInZnO、SnInZnO、TiO₂、In₂O₃、ZTO、ITO、ZnO或SnO_x。

7.一種紫外探測器的單位像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；

在所述第一區(qū)域的襯底上形成第一柵電極；

覆蓋所述第一柵電極，在第一柵電極和第二區(qū)域上形成第一柵絕緣層；

在所述第一區(qū)域的第一柵絕緣層上形成第一有源層，以及在所述第二區(qū)域的第一柵絕緣層上形成光電探測層，其中，所述第一有源層和光電探測層為非晶態(tài)氧化物半導(dǎo)體；

在所述第一柵電極兩側(cè)的第一有源層上形成第一源漏電極，以及在光電探測層上形成第二電極；

覆蓋所述第一源漏電極、第二電極及第一有源層、光電探測層形成鈍化層；

在所述第一區(qū)域的鈍化層上形成光屏蔽層；

其中，在第一區(qū)域上形成了由TFT器件組成的讀出電路、在第二區(qū)域上形成了MSM型的紫外探測器，所述讀出電路與紫外探測器電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第一有源層或光電探測層從包含以下元素的組中選擇形成：InGaZnO、InZnO、HfInZnO、TaInZnO、ZrInZnO、YInZnO、AlInZnO、SnInZnO、TiO₂、In₂O₃、ZTO、ITO、ZnO或SnO_x。