[發(fā)明專利]提高光刻膠膜與襯底表面粘合度的裝置及其應(yīng)用方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110206421.6 | 申請(qǐng)日： | 2011-07-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102430495A | 公開（公告）日： | 2012-05-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 毛智彪;戴韞青;王劍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B05C5/00 | 分類號(hào)： | B05C5/00;B05D5/08;B05D3/00 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 提高 光刻 膠膜 襯底 表面 粘合 裝置 及其 應(yīng)用 方法 | ||
1.一種提高光刻膠膜與襯底表面粘合均勻度的裝置，包括反應(yīng)室，其特征在于，在反應(yīng)室上方設(shè)有改性劑的主噴嘴，在反應(yīng)室側(cè)壁上設(shè)有用于噴射改性劑的可以調(diào)節(jié)位置和噴嘴方向的輔助噴嘴，所述主噴嘴正下方設(shè)有放置襯底硅片的加熱臺(tái)，所述反應(yīng)室底部設(shè)有排氣口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述主噴嘴設(shè)置在反應(yīng)室頂部正中央位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述輔助噴嘴在側(cè)壁上相等間隔設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述主噴嘴和輔助噴嘴為角度可調(diào)節(jié)噴嘴。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述主噴嘴和輔助噴嘴的進(jìn)料口處設(shè)有流量控制器。
6.一種使用權(quán)利要求1所述裝置處理襯底硅片的方法，其特征在于，包括以下步驟：
將襯底硅片置于反應(yīng)室的加熱臺(tái)上，在加熱臺(tái)對(duì)襯底硅片加熱的同時(shí)，通過(guò)主噴嘴和輔助噴嘴將能提供疏水基團(tuán)的改性劑噴射在反應(yīng)室中的襯底硅片的表面上；以提供具有疏水基團(tuán)的改性劑與襯底硅片表面的親水基團(tuán)發(fā)生反應(yīng)后，取出反應(yīng)室內(nèi)的硅片待后處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述提供疏水基團(tuán)的改性劑為三甲基硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述提供疏水基團(tuán)的改性劑為六甲基二硅胺烷。
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