[發(fā)明專利]用于形成柵溝槽結構的方法和用于制造溝槽MOSFET結構的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110205778.2
• 申請日: 2011-07-21
• 公開（公告）號: CN102347228A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發(fā)明（設計）人: 羅伯特·J·普泰爾
• 申請（專利權）人: 飛兆半導體公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種用于形成柵溝槽結構的方法，包括：

在半導體襯底的上表面中設置溝槽；

在所述溝槽的側壁和底部上形成絕緣層；以及

通過加熱含Si氣體、含N氣體以及含B或P氣體在所述絕緣

層上沉積摻雜的導電Si層；以及

在低溫下使用微波活化所沉積的Si層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述絕緣層包括柵氧化物層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述摻雜的導電Si層包括非晶硅或多晶硅。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述含N氣體包括N₂、NH₃、N₂H₄、HCN或其組合。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述含B或P氣體包含乙硼烷、PH₃、BCL₃或其組合。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述活化處理的所述低溫低于約800℃。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述活化處理的所述低溫在約200℃至約550℃的范圍內變化。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述沉積處理產生的氮摻雜劑的濃度在約9×10²⁰原子/cm³至約4×10²¹原子/cm³的范圍內變化。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述沉積處理產生的B摻雜劑的濃度在約10×10¹⁸原子/cm³至約2×10²⁰原子/cm³的范圍內變化。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述沉積處理產生的P摻雜劑的濃度在約10×10¹⁸原子/cm³至約2×10²⁰原子/cm³的范圍內變化。

11.一種用于制造溝槽MOSFET結構的方法，包括：

在半導體襯底的上表面中設置溝槽；

在所述溝槽的側壁和底部上形成柵絕緣層；以及

通過加熱含Si氣體、含N氣體以及含B或P氣體在所述柵絕緣層上形成摻雜的導電Si層；

在低溫下使用微波活化所述導電Si柵；

在所述導電Si柵之上形成絕緣層；以及

形成源極和漏極。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述柵絕緣層包括柵氧化物層。

13.根據權利要求11所述的方法，其中，所述摻雜的導電Si層包括非晶硅或多晶硅。

14.根據權利要求11所述的方法，其中，所述含N氣體包括N₂、NH₃、N₂H₄、HCN或其組合。

15.根據權利要求11所述的方法，其中，所述含B或P氣體包括乙硼烷、PH₃、BCL₃或其組合。

16.根據權利要求11所述的方法，其中，所述活化處理的所述低溫低于約800℃。

17.根據權利要求11所述的方法，其中，所述活化處理的所述低溫在約200℃至約550℃的范圍內變化。

18.根據權利要求11所述的方法，其中，所述沉積處理產生的N摻雜劑的濃度在約9×10²⁰原子/cm³至約4×10²¹原子/cm³的范圍內變化。

19.根據權利要求11所述的方法，其中，所述沉積處理產生的B摻雜劑的濃度在約10×10¹⁸原子/cm³至約2×10²⁰原子/cm³的范圍內變化。