[發明專利]相位差薄膜用液晶取向劑、相位差薄膜用液晶取向膜、相位差薄膜及其制造方法有效
| 申請號: | 201110204648.7 | 申請日: | 2011-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN102337140A | 公開(公告)日: | 2012-02-01 |
| 發明(設計)人: | 永尾隆;安田博幸 | 申請(專利權)人: | JSR株式會社 |
| 主分類號: | C09K19/56 | 分類號: | C09K19/56;G02F1/1337;G02F1/1335;G02B5/30 |
| 代理公司: | 北京三幸商標專利事務所 11216 | 代理人: | 劉激揚 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 相位差 薄膜 液晶 取向 及其 制造 方法 | ||
1.一種相位差薄膜用液晶取向劑,該液晶取向劑包含[A]具有光取向性基團的聚有機硅氧烷。
2.根據權利要求1所記載的相位差薄膜用液晶取向劑,其中上述光取向性基團是具有肉桂酸結構的基團。
3.根據權利要求2所記載的相位差薄膜用液晶取向劑,其中具有上述肉桂酸結構的基團是由來自下述式(1)所示的化合物的基團和來自式(2)所示的化合物的基團構成的群組中選出的至少一種;
式(1)中,R1是亞苯基、亞聯苯基、亞三聯苯基或亞環己基,該亞苯基、亞聯苯基、亞三聯苯基或亞環己基的氫原子的一部分或全部可以被碳原子數為1~10的烷基、可具有氟原子的碳原子數為1~10的烷氧基、氟原子或氰基取代,R2是單鍵、碳原子數為1~3的鏈烷二基、氧原子、硫原子、-CH=CH-、-NH-、-COO-或-OCO-,a是0~3的整數,其中,在a為2以上時,R1和R2各自可以相同,也可以不同,R3是氟原子或氰基,b是0~4整數;
式(2)中,R4是亞苯基或亞環己基,該亞苯基或亞環己基的氫原子的一部分或全部可以被碳原子數為1~10的鏈狀或環狀的烷基、碳原子數為1~10的鏈狀或環狀的烷氧基、氟原子或氰基取代,R5是單鍵、碳原子數為1~3的鏈烷二基、氧原子、硫原子或-NH-,c是1~3的整數,其中,在c為2以上時,R4和R5各自可以相同,也可以不同,R6是氟原子或氰基,d是0~4整數,R7是氧原子、-COO-*或-OCO-*,其中,帶“*”的連接鍵和R8連接,R8是2價的芳香族基團、2價的脂環式基團、2價的雜環基或2價的稠環基,R9是單鍵、-OCO-(CH2)f-*或-O(CH2)g-*,其中,帶“*”的連接鍵和羧基連接,f和g分別是1~10的整數,e是0~3的整數,其中,在e為2以上時,R7和R8各自可以相同,也可以不同。
4.根據權利要求3所記載的相位差薄膜用液晶取向劑,其中[A]具有光取向性基團的聚有機硅氧烷是由具有環氧基的聚有機硅氧烷、其水解物及其水解物的縮合物構成的群組中選出的至少一種化合物與由上述式(1)所示的化合物和上述式(2)所示的化合物構成的群組中選出的至少一種化合物的反應產物。
5.根據權利要求1~4任一項所記載的相位差薄膜用液晶取向劑,該液晶取向劑進一步含有[B]由聚酰胺酸、聚酰亞胺、乙烯基不飽和化合物聚合物以及沒有光取向性基團的聚有機硅氧烷構成的群組中選出的至少一種聚合物。
6.根據權利要求1~4任一項所記載的相位差薄膜用液晶取向劑,該液晶取向劑進一步含有[C]具有兩個以上由羧酸的縮醛酯結構、羧酸的縮酮酯結構、羧酸的1-烷基環烷基酯結構和羧酸的叔丁酯結構構成的群組中選出的至少一種結構的化合物。
7.根據權利要求1~4任一項所記載的相位差薄膜用液晶取向劑,該液晶取向劑進一步含有[D]下述式(6)所示的溶劑,
Rd1-COO-Rd2????????????????(6)
式(6)中,Rd1是碳原子數為1~6的烷基、碳原子數為3~6的環烷基、苯基或芐基,其中,上述烷基可以在碳-碳鍵間具有-O-,Rd2是碳原子數為1~8的1價有機基團。
8.根據權利要求1~4任一項所記載的相位差薄膜用液晶取向劑,該液晶取向劑進一步含有[E]對相位差薄膜用基板具有侵蝕性的溶劑。
9.根據權利要求1~4任一項所記載的相位差薄膜用液晶取向劑,該液晶取向劑進一步含有[F]含具有聚合性碳-碳雙鍵的基團的化合物。
10.由權利要求1~9任一項所記載的相位差薄膜用液晶取向劑形成的相位差薄膜用液晶取向膜。
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