[發(fā)明專利]一種CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110204365.2 | 申請日： | 2011-07-21 |
| 公開（公告）號： | CN102890526A | 公開（公告）日： | 2013-01-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉明;張君宇;張滿紅;霍宗亮;謝常青;潘立陽;陳映平;劉阿鑫 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號： | G05F3/30 | 分類號： | G05F3/30 |
| 代理公司： | 北京市德權(quán)律師事務(wù)所 11302 | 代理人： | 王建國 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 cmos 基準(zhǔn) 電壓 | ||
1.一種CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征在于，包括輸入電流源Iref、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、電阻R1、電阻R2、電阻R3、三極管Q1和三極管Q2；所述PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6的源端和襯底均接到最高電位電源電壓VDD；所述PMOS管MP1的柵端和漏端同時(shí)接到輸入電流源Iref，同時(shí)柵端接到PMOS管MP2和PMOS管MP3的柵端；所述PMOS管MP2的漏端接到電阻R1的一端，所述電阻R1的另一端接三極管Q1的發(fā)射極，所述三極管Q1的基極和集電極同時(shí)接地；所述PMOS管MP3的漏端接到電阻R2的一端，所述電阻R2的另一端接三極管Q2的發(fā)射極，所述三極管Q2的基極和集電極同時(shí)接地；所述PMOS管MP2的漏端還連接到NMOS管MN1的柵端；所述PMOS管MP3的漏端還同時(shí)連接到NMOS管MN2和NMOS管MN3的柵端；所述PMOS管MP4的柵端和漏端同時(shí)連接到NMOS管MN1的源端；所述PMOS管MP5的柵端和漏端同時(shí)連接到NMOS管MN2的源端作為負(fù)載二極管；所述PMOS管MP4的柵端和PMOS管MP6的柵端相連，起到鏡像電流的作用；所述NMOS管MN1、NMOS管MN2和NMOS管MN3的源端和襯底均同時(shí)接地；所述PMOS管MP6的漏端和NMOS管MN3的源端連接在一起后同時(shí)連接到電阻R3的一端，從而獲得基準(zhǔn)電壓VREF，所述電阻R3的另一端接地。
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