[發明專利]薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201110203611.2
• 申請日: 2011-07-20
• 公開（公告）號: CN102886929B
• 公開（公告）日: 2016-11-23
• 發明（設計）人: 王仲培
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: B32B15/01
• 分類號: B32B15/01;C23C14/16;C23C14/35
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 薛曉偉

1.一種薄膜，其附著在一個由不銹鋼制成的基板的表面，且包括依次堆疊在所述基板表面的一個附著層、一個應力緩沖層及一個顏色層，所述附著層由鉻制成；所述應力緩沖層由鈦與鉻的混合物制成；所述顏色層由鈦與鉻的混合物制成。

2.如權利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述應力緩沖層中鈦與鉻的質量比為1：1。

3.如權利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述顏色層中鈦與鉻的質量比為3：1。

4.如權利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述附著層的厚度為0.2~0.25um。

5.如權利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述應力緩沖層的厚度為0.3~0.35um。

6.如權利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述顏色層的厚度為0.4~0.5um。

7.一種薄膜的制備方法，其包括如下步驟：提供一個由不銹鋼制成的基板；將所述基板放入一個第一真空鍍膜腔內，在所述基板的表面鍍上一附著層，所述附著層由鉻制成；將鍍上所述附著層的基板放入一個第二真空鍍膜腔內，并在所述附著層的表面鍍上一應力緩沖層，所述應力緩沖層由鈦與鉻的混合物制成；將鍍上應力緩沖層的基板放入一個第三真空鍍膜腔內，并在所述應力緩沖層的表面鍍上一顏色層，所述顏色層由鈦與鉻的混合物制成。

8.如權利要求7所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述第一真空鍍膜腔內的真空壓力為0.5~0.8Pa，以鉻作為靶材，離子轟擊源的功率是10~12KW，偏壓電源的電壓是200~220V，真空濺鍍的時間是600s，所述附著層的厚度為0.2~0.25um，以氬氣作為工作氣體，所述氬氣的流量為500sccm。

9.如權利要求7所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述第二真空鍍膜腔內的真空壓力為0.5~0.8Pa，在所述第二真空腔內同時放置一個鈦靶材及一個鉻靶材，所述鈦靶材與所述鉻靶材進行離子轟擊源的功率均是10~12KW，偏壓電源的電壓均為120~130V，真空濺鍍的時間均為600s，所述應力緩沖層的厚度為0.3~0.35um，以氬氣作為工作氣體，所述氬氣的流量為500sccm。

10.如權利要求7所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述第三真空鍍膜腔內的真空壓力為0.5~0.8Pa，在所述第三真空腔內同時放置一個鈦靶材及一個鉻靶材，所述鈦靶材與所述鉻靶材進行離子轟擊的偏壓電源的電壓均為80~85V，真空濺鍍的時間均為2700s，所述鈦靶材進行離子轟擊的功率均是30~36KW，所述鉻靶材進行離子轟擊的功率均是10~12KW，所述顏色層的厚度為0.4~0.5um，以氬氣及氧氣作為工作氣體，所述氬氣與氧氣的流量比為1：3，所述氬氣的流量為200sccm，所述氧氣的流量為600sccm。