[發(fā)明專利]鎳離子摻雜鍺銻碲熒光相變信息存儲(chǔ)材料及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110202663.8
• 申請(qǐng)日: 2011-07-20
• 公開（公告）號(hào): CN102329619A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張科;梁廣飛;王陽(yáng);吳誼群
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所
• 主分類號(hào): C09K11/88
• 分類號(hào): C09K11/88;C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 張澤純

1.一種鎳離子摻雜鍺銻碲熒光相變信息存儲(chǔ)材料，其特征在于該材料的組成為Ge₂Sb₂Te₅:0.1～0.3Ni²⁺，該材料是通過磁控濺射方法將Ge₂Sb₂Te₅靶和NiO靶共濺在K9玻璃基片上的膜層，該膜層的厚度為100～250nm。

2.權(quán)利要求1所述的鎳離子摻雜鍺銻碲熒光相變信息存儲(chǔ)材料的制備方法，其特征在于該方法是：利用磁控濺射設(shè)備，在真空度為3.0～5.0×10^-4Pa的條件下,?在清潔的K9玻璃基片上共濺射NiO和Ge₂Sb₂Te₅，NiO靶和Ge₂Sb₂Te₅靶的濺射功率分別為7w～15w和70w～150w，共濺膜層的厚度為100～250nm。