[發明專利]提高發光二極管亮度的發光芯片及其封裝方法無效
| 申請號: | 201110202081.X | 申請日: | 2011-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN102263193A | 公開(公告)日: | 2011-11-30 |
| 發明(設計)人: | 任恒 | 申請(專利權)人: | 四川九洲光電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/56;H01L33/00 |
| 代理公司: | 四川省成都市天策商標專利事務所 51213 | 代理人: | 劉興亮 |
| 地址: | 621000 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 提高 發光二極管 亮度 發光 芯片 及其 封裝 方法 | ||
1.一種提高發光二極管亮度發光芯片的封裝方法,其特征在于:所述的方法為將透明陶瓷制作成納米結構和一定比例的熒光粉以及膠水混合,均勻涂抹在芯片本體的外表面上或者灌注在芯片本體所安裝的杯體中,待其完全干燥后完成封裝。
2.根據權利要求1所述的提高發光二極管亮度芯片的封裝方法,其特征在于:所述的納米結構的透明陶瓷、熒光粉與膠水之間的比例為0.5~2∶15~24∶75~85。
3.根據權利要求1所述的提高發光二極管亮度芯片的封裝方法,其特征在于:所述的透明陶瓷是氧化鋁或氮化鋁。
4.根據權利要求1所述的提高發光二極管亮度芯片的封裝方法,其特征在于:所述的膠水是A/B膠水。
5.一種提高發光二極管亮度的發光芯片,包括發光芯片本體,其特征在于:所述的芯片本體的外表面設置有透明陶瓷制作成納米結構和一定比例的熒光粉以及膠水的混合層。
6.根據權利要求5所述的提高發光二極管亮度芯片的封裝方法,其特征在于:所述的透明陶瓷是氧化鋁或氮化鋁。
7.根據權利要求5所述的提高發光二極管亮度芯片的封裝方法,其特征在于:所述的膠水是A/B膠水。
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