[發明專利]內存無效
| 申請號: | 201110196977.1 | 申請日: | 2011-07-14 |
| 公開(公告)號: | CN102881319A | 公開(公告)日: | 2013-01-16 |
| 發明(設計)人: | 羅奇艷;陳鵬;童松林 | 申請(專利權)人: | 鴻富錦精密工業(深圳)有限公司;鴻海精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C7/10 | 分類號: | G11C7/10 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 內存 | ||
技術領域
本發明涉及一種內存。
背景技術
傳統的DDR3與DDR2是不支持熱插拔的,實在不便。
發明內容
鑒于以上內容,有必要提供一種可熱插拔的內存。
一種內存,包括一電路板、若干內存芯片及金手指,所述若干內存芯片設置于電路板上,所述金手指設置于電路板的一端且包括若干接地引腳、電源引腳及信號引腳,所述接地引腳、電源引腳及信號引腳的上端平齊,所述接地引腳的長度大于電源引腳及信號引腳的長度。
上述內存將其接地引腳設置為最長,當熱插入的時候,接地引腳最長,接地引腳就會最先接入,這樣電源引腳和信號引腳均不會在接地引腳沒有與內存插槽接觸的情況下與內存插槽相接觸,從而造成電源引腳與信號引腳的電氣懸空。當熱拔出的時候,接地引腳最長,因此接地引腳也就會最后被拔出,如此電源引腳和信號引腳也不會在接地引腳已與內存插槽相分離的情況下仍與內存插槽相接觸,從而造成電源引腳與信號引腳的電氣懸空,這樣的話內存在熱插拔時就不會出現浪涌電流與浪涌電壓等不良現象。
附圖說明
圖1是本發明內存的較佳實施方式的示意圖。
圖2是圖1中的II部分的放大圖。
主要元件符號說明
如下具體實施方式將結合上述附圖進一步說明本發明。
具體實施方式
下面結合附圖及較佳實施方式對本發明作進一步詳細描述:
請參閱圖1,本發明內存1的較佳實施方式包括一電路板10、若干內存芯片20及金手指30。
所述內存芯片20設置于電路板10上,所述金手指30設置于電路板10的一端,且所述金手指30通過設置于電路板10上的跡線與若干內存芯片20電性連接。當所述內存1插接于主板上的內存插槽時,所述金手指30與內存插槽內的引腳相連,從而傳輸內存芯片20與主板之間的數據。
所述金手指30包括若干引腳,該等引腳的上端平齊。根據DDR2或DDR3的定義,內存1的金手指30包括三組引腳,其中第一組引腳為接地引腳,第二組引腳為電源引腳,第三組引腳為信號引腳。假設本實施方式中,所述內存1的規格為DDR2?SDRAM?(Double?Data?Rate?II?Synchronous?Dynamic?Random?Access?Memory,雙倍速率同步動態隨機存儲器)DIMM(Dual-Inline-Memory-Modules,雙列直插式存儲模塊)240?pin,其包括64個接地引腳(第一組引腳)、24個電源引腳(第二組引腳)、141個信號引腳(第三組引腳)以及11個閑置或預留引腳。
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