[發(fā)明專利]一種半導體器件的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110195551.4 | 申請日： | 2011-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN102881632A | 公開（公告）日： | 2013-01-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 周鳴;洪中山 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;顧珊 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件的制造方法，包括：
提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成絕緣層，且在所述絕緣層中形成銅金屬互連線；
在所述絕緣層以及銅金屬互連線上形成附著層，所述附著層為摻雜碳的富氮化硅層；
在所述附著層上形成阻障層。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學氣相沉積工藝形成所述附著層。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，形成所述附著層的前體材料包括六甲基二硅氮烷。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述附著層的前體材料還包括氰胺。
5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，六甲基二硅氮烷的流量為100-1000sccm。
6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，氰胺的流量為100-500sccm。
7.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，采用氦氣作為所述化學氣相沉積的載氣。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，氦氣的流量為1000-3000sccm。
9.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述化學氣相沉積過程是在壓力3-7Torr，功率50-500W的條件下進行的。
10.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述附著層的厚度為20-100埃。
11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學氣相沉積工藝或旋涂工藝形成所述阻障層。
12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻障層的材料是碳化硅、摻雜氮的碳化硅、碳氧化硅或碳氫化硅。
13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用原位沉積工藝形成所述附著層。
14.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述絕緣層為具有低介電常數的材料層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，未經中芯國際集成電路制造（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110195551.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
