[發明專利]從硅片切割加工副產物中回收多晶硅的方法

無效

• 申請號: 201110191444.4
• 申請日: 2011-07-11
• 公開（公告）號: CN102351183A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 高德耀
• 申請（專利權）人: 高德耀
• 主分類號: C01B31/36
• 分類號: C01B31/36;C01B33/037
• 代理公司: 長沙星耀專利事務所 43205
• 代理人: 趙靜華

1.一種從硅片切割加工副產物中回收多晶硅的方法，包括將廢砂漿進行固液分離得到砂漿沉淀物；其特征在于，還包括以下步驟：

（1）在砂漿沉淀物中加入純水調漿成重量百分比為15～25%的漿料，離心分離出重量百分比為30-45%的粗硅物和碳化硅粉；

（2）將粗硅物置于混合酸反應釜中,按照粗硅粉∶混合酸的重量百分比=1∶0.8～2加入混合無機酸，在溫度60～80℃、攪拌速度40～50轉/分條件下，反應6～8小時，得到初級硅粉料；

（3）將初級硅粉料加入純水調漿成重量百分比為15～25%的漿料，加入到三級超聲波洗滌塔中進行硅粉和碳化硅粉分離，分離出的上浮物為含硅粉80%的中級硅粉,下沉物為碳化硅；

（4）將中級硅粉加入純水調漿成重量百分比為5～20%的漿料,?泵入高頻介電分離裝置中分離出99%的高純硅粉；

（5）將高純硅粉加入純水調漿成重量百分比為3～10%的漿料，泵入電去離子模塊的淡水側，在直流電流的作用下，陽離子雜質通過陽離子交換膜，陰離子雜質經過陰離子交換膜去除，得99.99%的超純硅粉；

（6）將超純硅粉按現有技術經真空脫水、壓制成球團、鑄錠，切去鑄錠上部20mm部分雜質,得到99.9999%的太陽能級多晶硅；或參入40-50%的西門子硅料拉單晶，重新制作硅片。

2.根據權利要求1所述的從硅片切割加工副產物中回收多晶硅的方法，其特征在于，所述混合無機酸是95?%以上的硫酸與50%以上的硝酸的混合酸。

3.根據權利要求1所述的從硅片切割加工副產物中回收多晶硅的方法，其特征在于，所述三級超聲波的頻率分別是：一級為18-20kHz、二級為40?kHz.，三級為50?kHz。

4.根據權利要求1所述的從硅片切割加工副產物中回收多晶硅的方法，其特征在于，所述高頻介電分離條件是：高頻為0.3～3MHz?,電壓為260～500V。

5.根據權利要求1所述的從硅片切割加工副產物中回收多晶硅的方法，其特征在于，所述鑄錠溫度為1410～1420℃，鑄錠速率為5～10mm/小時。