[發明專利]局部曝光裝置和局部曝光方法

有效

• 申請號: 201110184492.0
• 申請日: 2011-06-29
• 公開（公告）號: CN102314093A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 太田義治;森山茂;松村雄宣;田中茂喜
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

技術領域

本發明涉及對形成有感光膜的被處理基板局部地進行曝光處理的局部曝光裝置和局部曝光方法。

背景技術

例如，在FPD(平板顯示器)的制造中，利用所謂的光刻工序來形成電路圖案。

在該光刻工序中，也如專利文獻1所述那樣，在玻璃基板等被處理基板上形成規定的膜之后，涂敷光致抗蝕劑(下面稱為抗蝕劑)而形成抗蝕劑膜(感光膜)。然后，對應電路圖案地曝光上述抗蝕劑，并對其進行顯影處理，從而形成圖案。

另外，如圖11的(a)所示，在這樣的光刻工序中，能夠使抗蝕劑圖案R具有不同的膜厚(厚膜部R1和薄膜部R2)，并通過利用該抗蝕劑圖案R來進行多次蝕刻處理而減少光掩模數以及工序數。另外，那樣的抗蝕劑圖案R可以通過半(半色調：halftone)曝光處理獲得，該半(半色調)曝光處理使用一種在1張中具有不同的光的透過率的部分的半色調掩模。

利用圖11的(a)～(e)具體地說明使用抗蝕劑圖案R時的電路圖案形成工序，該抗蝕劑圖案R是應用了該半曝光而形成的。

例如，在圖11的(a)中，在玻璃基板G上依次層疊有柵電極200、絕緣層201、由a-Si層(無摻雜非晶形Si層)202a和n+a-Si層202b(摻雜非晶形Si層)形成的Si層202、用于形成電極的金屬層203。

另外，通過上述半曝光處理和顯影處理而獲得的抗蝕劑圖案R形成在金屬層203上。

如圖11的(b)所示，在該抗蝕劑圖案R(厚膜部R1和薄膜部R2)形成之后，將該抗蝕劑圖案R作為掩模而進行金屬層203的蝕刻(第1次蝕刻)。

接下來，在等離子體中對抗蝕劑圖案R整體實施灰化(Ashing)處理。由此，如圖11的(c)所示，獲得了膜厚被減膜到一半左右的抗蝕劑圖案R3。

然后，如圖11的(d)所示，將該抗蝕劑圖案R3作為掩模來利用，對露出的金屬層203、Si層202進行蝕刻(第2次蝕刻)，最后，如圖11的(e)所示，通過除去抗蝕劑R3而獲得電路圖案。

專利文獻1：日本特開2007-158253號公報

然而，在使用上述那樣形成有厚膜部R1和薄膜部R2的抗蝕劑圖案R的半曝光處理中，存在如下所述的課題：在抗蝕劑圖案R的形成時，在其膜厚在基板面內不均勻的情況下，形成的圖案的線寬、圖案間的間距存在偏差。

即、使用圖12的(a)～(e)具體地說明時，圖12的(a)表示在抗蝕劑圖案R中的薄膜部R2的厚度t2形成得比圖11的(a)所示的厚度t1厚的情況。

在此情況下，與圖11所示的工序同樣地實施金屬膜203的蝕刻(圖12的(b))、對抗蝕劑圖案R整體進行的灰化處理(圖12的(c))。

在此，如圖12的(c)所示，獲得膜厚被減膜到一半左右的抗蝕劑圖案R3，但由于除去的抗蝕劑膜的厚度與圖11的(c)的情況相同，因此圖示的一對抗蝕劑圖案R3之間的間距p2比圖11的(c)所示的間距p1狹窄。

因而，從該狀態經過對金屬膜203以及Si層202進行的蝕刻(圖12的(d)、抗蝕劑圖案R3的除去(圖12的(e))而獲得的電路圖案的間距p2比圖11的(e)所示的間距p1狹窄(電路圖案的線寬變寬)。

發明內容

本發明是鑒于上述那樣的以往技術的問題點而做成的，其目的在于提供局部曝光裝置和局部曝光方法，該局部曝光裝置和局部曝光方法能夠提高在基板面內的顯影處理之后的抗蝕劑殘膜的均勻性、并對布線圖案的線寬以及間距的偏差進行抑制。