[發明專利]圓筒形掩模板的刻蝕系統和圓筒形掩模板的刻蝕方法

在審

• 申請號: 201310675696.3
• 申請日: 2013-12-11
• 公開（公告）號: CN104714371A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發明（設計）人: 劉洋;張士健;伍強
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種圓筒形掩模板的刻蝕系統，其特征在于，包括：

滾筒，所述滾筒表面包括掩模板包覆區域，用于包覆待刻蝕掩模板；

刻蝕氣體噴射裝置，包括噴射開口，所述噴射開口朝向所述滾筒表面的掩模板包覆區域，用于向所述掩模板包覆區域的上的待刻蝕掩模板噴射刻蝕氣體。

2.如權利要求1所述的圓筒形掩模板的刻蝕系統，其特征在于，所述噴射開口為長條形，所述噴射開口沿所述滾筒的軸向的長度大于或等于所述掩模板包覆區域沿所述滾筒軸向的長度。

3.如權利要求2所述的圓筒形掩模板的刻蝕系統，其特征在于，所述噴射開口垂直于所述滾筒的軸向上的距離小于或等于3mm。

4.如權利要求1所述的圓筒形掩模板的刻蝕系統，其特征在于，所述刻蝕氣體噴射裝置包括等離子氣體發生腔體，所述噴射開口開設在所述等離子氣體發生腔體上；

所述噴射開口包括設置于所述等離子氣體發生腔體內的兩塊位置對應設置的擋板，刻蝕氣體由所述兩塊擋板之間的縫隙噴向所述滾筒表面的待刻蝕掩模板。

5.如權利要求4所述的圓筒形掩模板的刻蝕系統，其特征在于，所述兩塊擋板連接射頻電源。

6.如權利要求4所述的圓筒形掩模板的刻蝕系統，其特征在于，在所述等離子氣體發生腔體內設有連接偏置電壓源的偏置電壓板，所述偏置電壓板的位置與所述噴射開口的位置相對。

7.如權利要求6所述的圓筒形掩模板的刻蝕系統，其特征在于，所述偏置電壓板與所述噴射開口之間的距離為1cm～5cm。

8.如權利要求1所述的圓筒形掩模板的刻蝕系統，其特征在于，所述滾筒接地連接。

9.如權利要求1所述的圓筒形掩模板的刻蝕系統，其特征在于，所述噴射開口至所述滾筒表面的距離為50μm至1mm。

10.如權利要求1所述的圓筒形掩模板的刻蝕系統，其特征在于，還包括用于控制所述滾筒轉動的滾筒控制裝置。

11.一種圓筒形掩模板的刻蝕方法，其特征在于，包括：

提供圓筒形的待刻蝕掩模板，在所述待刻蝕掩模板表面形成光刻膠圖案，并使所述圓筒形掩模板繞軸向旋轉；

采用刻蝕氣體噴射裝置，向所述待刻蝕掩模板表面噴射刻蝕氣體。

12.如權利要求11所述的圓筒形掩模板的刻蝕方法，其特征在于，還包括：向所述刻蝕氣體噴射裝置內通入刻蝕氣體，并調節所述刻蝕氣體噴射裝置內的射頻頻率為10MHz～15MHz，射頻功率為100W～300W。

13.如權利要求11所述的圓筒形掩模板的刻蝕方法，其特征在于，調節所述刻蝕氣體噴射裝置內的偏置電壓為10V～300V。

14.如權利要求11所述的圓筒形掩模板的刻蝕方法，其特征在于，調整所述刻蝕氣體噴射裝置的真空度為-1Pa～-5Pa。

15.如權利要求11所述的圓筒形掩模板的刻蝕方法，其特征在于，所述待刻蝕掩模板的轉速為0.05rad/s～1rad/s。