[發(fā)明專利]導(dǎo)電原子力顯微鏡的探針以及采用此探針的測量方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110182011.2 | 申請日: | 2011-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN102353817A | 公開(公告)日: | 2012-02-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐耿釗;劉爭暉;鐘海艦;樊英民;徐科 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 |
| 主分類號: | G01Q60/40 | 分類號: | G01Q60/40;G01R31/00 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務(wù)所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孫佳胤;翟羽 |
| 地址: | 215125 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)電 原子 顯微鏡 探針 以及 采用 測量方法 | ||
1.一種導(dǎo)電原子力顯微鏡的探針,其特征在于,包括懸臂探針基底、針尖和設(shè)置在針尖表面的導(dǎo)電薄膜,所述導(dǎo)電薄膜的材料是石墨烯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電原子力顯微鏡的探針,其特征在于,所述石墨烯材料選自于單層石墨烯和多層石墨烯中的任意一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電原子力顯微鏡的探針,其特征在于,所述導(dǎo)電薄膜同時覆蓋懸臂探針的基底和針尖。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電原子力顯微鏡的探針,其特征在于,所述針尖與導(dǎo)電薄膜之間進一步具有一金屬薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電原子力顯微鏡的探針,其特征在于,所述金屬的材料為鎳。
6.一種采用權(quán)利要求1所述探針測量半導(dǎo)體局域?qū)щ娦再|(zhì)的方法,其特征在于:
將樣品固定于帶有權(quán)利要求1所述導(dǎo)電原子力探針的原子力顯微鏡的樣品臺上;
在樣品表面和探針表面石墨烯薄膜層分別引出導(dǎo)電引線,在二者之間串聯(lián)一個直流電壓源和一個電流計;
采用探針控制器控制原子力顯微鏡的導(dǎo)電原子力探針與樣品表面接觸,并將針尖移至樣品表面待測量的位置,通過探測樣品與針尖之間力的相互作用維持針尖與樣品間距離的恒定;
在探針和樣品間加直流電壓,電流計將收集到的電流信號轉(zhuǎn)換為電壓信號。
7.一種采用權(quán)利要求1所述探針測量太赫茲波段無孔針尖近場光學探測的方法,其特征在于:
將樣品固定于帶有權(quán)利要求1所述導(dǎo)電原子力探針的原子力顯微鏡的樣品臺上;
采用探針控制器控制導(dǎo)電原子力顯微鏡的導(dǎo)電原子力探針與樣品表面接觸,并將針尖移至樣品表面待測量的位置,通過探測樣品與針尖之間力的相互作用維持針尖與樣品間距離的恒定;
太赫茲光源發(fā)出一束太赫茲光,聚焦在樣品表面針尖,反射的太赫茲信號進入太赫茲探測器;
移動樣品,在保持針尖和太赫茲光束相對位置不變的情況下,對樣品表面進行逐點掃描。
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G01Q 掃描探針技術(shù)或設(shè)備;掃描探針技術(shù)的應(yīng)用,例如,掃描探針顯微術(shù)[SPM]
G01Q60-00 特殊類型的SPM [掃描探針顯微術(shù)]或其設(shè)備;其基本組成
G01Q60-02 .多個類型SPM,即包括兩種或更多種SPM技術(shù)
G01Q60-10 .STM [掃描隧道顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如STM探針
G01Q60-18 .SNOM [掃描近場光學顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如,SNOM探針
G01Q60-24 .AFM [原子力顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如AFM探針
G01Q60-44 .SICM [掃描離子電導(dǎo)顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如SICM探針
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