[發明專利]諧振器

有效

• 申請號: 201110181441.2
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN102315827A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 羅伯特·蘭德
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H03H3/013
• 分類號: H03H3/013
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種制造MEMS諧振器的方法，所述MEMS諧振器由第一材料和第二材料形成，所述第一材料具有第一楊氏模量和第一楊氏模量的第一溫度系數，所述第二材料具有第二楊氏模量和第二楊氏模量的第二溫度系數，至少在諧振器的工作條件內，第二溫度系數的符號與第一溫度系數的符號相反，所述方法包括以下步驟：由第一材料形成諧振器；將第二材料涂覆至諧振器；以及通過諧振器的幾何結構來控制涂覆到諧振器的第二材料的量。

2.根據權利要求1所述的方法，其中將第二材料涂覆至諧振器的步驟包括：在第一材料上生長第二材料的步驟。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中控制涂覆到諧振器的第二材料的量的步驟包括：產生其中生長第二材料的有限空間的步驟。

4.根據權利要求2所述的方法，其中產生其中生長第二材料的有限空間的步驟包括：在第一材料中產生多個孔或凹陷的步驟。

5.根據權利要求4所述的方法，其中產生多個孔或凹陷的步驟包括：圖案化諧振器的步驟。

6.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中諧振器包括梁區域和質量塊區域，控制涂覆諧振器的第二材料的量的步驟包括：控制涂覆至諧振器的質量塊區域的第二材料的量的步驟。

7.根據權利要求1所述的方法，其中控制涂覆至諧振器的第二材料的量的步驟包括：在質量塊區域中的第一材料中生長網格結構的步驟，所述網格結構包括細絲；以及處理所述細絲，使得所述細絲由第二材料形成。

8.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中第一材料包括硅，第二材料包括二氧化硅，將第二材料涂覆至諧振器的步驟包括：對第一材料進行氧化，從而在第一材料上生長第二材料。

9.一種諧振器，所述諧振器由第一材料和第二材料形成，所述第一材料具有第一楊氏模量和第一楊氏模量的第一溫度系數，所述第二材料具有第二楊氏模量和第二楊氏模量的第二溫度系數，至少在諧振器的工作條件內，第二溫度系數的符號與第一溫度系數的符號相反，其中諧振器包括梁區域和質量塊區域，并且質量塊區域包括用于控制質量塊區域中第二材料的量的控制器。

10.根據權利要求9所述的諧振器，其中控制器包括在諧振器的質量塊區域中形成的一個或多個孔或凹陷。

11.根據權利要求9所述的諧振器，其中控制器包括由細絲形成的網格結構。

12.根據權利要求9至11中任一項所述的諧振器，其中第一材料包括硅，第二材料包括二氧化硅。