[發明專利]使用SiGe材料的電阻型存儲器

無效

• 申請號: 201110179980.2
• 申請日: 2011-06-29
• 公開（公告）號: CN102315242A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 盧偉
• 申請（專利權）人: 科洛斯巴股份有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00;G11C13/00
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 林錦輝;許向彤

1.一種具有縱橫陣列的存儲器件，所述存儲器件包括：

第一電極的第一陣列，所述第一電極的第一陣列沿著第一方向延伸；

第二電極的第二陣列，所述第二電極的第二陣列沿著第二方向延伸，每個第二電極具有包含硅的多晶半導體層；

非晶體硅結構，所述非晶體硅結構設置在所述第一電極和所述第二電極之間的由所述第一陣列和所述第二陣列限定的相交點處，

其中，所述第一陣列和所述第二陣列的每個相交點構成兩端電阻型存儲器單元。

2.如權利要求1所述的存儲器件，其中，所述非晶體硅結構包括無定形硅，并且所述多晶半導體層包括多晶硅-鍺。

3.如權利要求1所述的存儲器件，其中，將所述第一電極的所述第一陣列設置在所述非晶體硅結構的上面，并且將所述第二電極的所述第二陣列設置在所述非晶體硅結構的下面，并且

其中，所述第一電極的所述第一陣列包括銀，所述非晶體硅結構包括無定形硅，所述第二電極的所述第二陣列包括多晶硅-鍺。

4.如權利要求3所述的存儲器件，其中，所述多晶硅-鍺包括至少60％的鍺。

5.如權利要求4所述的存儲器件，其中，所述多晶硅-鍺包括至少70％的鍺，并且

其中，通過利用不高于450℃的沉積溫度來形成所述多晶硅-鍺。

6.如權利要求4所述的存儲器件，其中，在大約400℃的溫度下沉積所述多晶硅-鍺。

7.如權利要求4所述的存儲器件，其中，多晶硅-鍺摻雜有摻雜濃度大于1E20/cm³的硼。

8.如權利要求1所述的存儲器件，其中，所述多晶半導體層包括化合物半導體層。

9.如權利要求1所述的存儲器件，其中，所述兩端電阻型存儲器單元構造為當寫入電壓施加到所述第一電極時接通并且當擦除電壓施加到所述第一電極時斷開，并且

其中，所述兩端電阻型存儲器單元是利用轉變介質的存儲器單元，通過施加電信號能夠控制所述轉變介質的電阻，而沒有改變所述轉變介質的鐵電、磁化和相位。

10.如權利要求9所述的存儲器件，其中，所述寫入電壓是1到4伏，所述擦除電壓是-1到-4伏。

11.如權利要求10所述的存儲器件，其中，所述寫入電壓在1伏到2伏之間，所述擦除電壓在-1伏到-2伏之間。

12.一種電阻型存儲器件，包括：

第一電極；

第二電極，所述第二電極具有包括硅的多晶半導體層；

非晶體硅結構，所述非晶體硅結構設置在所述第一電極和所述第二電極之間，

其中，所述第一電極、所述第二電極和所述非晶體硅結構構成兩端電阻型存儲器單元。

13.如權利要求12所述的存儲器件，其中，所述非晶體硅結構包括無定形硅，并且所述多晶半導體層包括多晶硅-鍺。

14.如權利要求13所述的存儲器件，其中，所述第一電極包括銀，所述非晶體硅結構包括無定形硅，所述第二電極包括多晶硅-鍺。

15.如權利要求14所述的存儲器件，其中，所述多晶硅-鍺包括至少60％的鍺。

16.如權利要求14所述的存儲器件，其中，所述多晶硅-鍺包括至少70％的鍺，并且

其中，通過利用不高于450℃的沉積溫度來形成所述多晶硅-鍺。

17.如權利要求14所述的存儲器件，其中，通過利用大約400℃的溫度形成所述多晶硅-鍺。

18.一種用于制造電阻型存儲器件的方法，所述方法包括：

設置襯底；

在所述襯底上形成底電極，所述底電極包括多晶半導體層，所述多晶半導體層包括硅；

在所述底電極上形成轉變介質，所述轉變介質限定當施加寫入電壓時形成細絲的區域；以及

在所述轉變介質上形成頂電極，所述頂電極構造為在所述轉變介質中所限定的區域中設置形成所述細絲所需的至少一部分金屬粒子。

19.如權利要求18所述的方法，其中，所述底電極包括p型多晶硅-鍺。

20.如權利要求19所述的方法，其中，所述p型多晶硅-鍺是多晶半導體層。