[發明專利]基于壓電阻抗法的熱障涂層熱生長氧化層無損檢測方法

有效

• 申請號: 201110179939.5
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN102353700A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 林莉;李繼承;陳軍;羅忠兵;李喜孟;雷明凱
• 申請（專利權）人: 大連理工大學
• 主分類號: G01N27/04
• 分類號: G01N27/04
• 代理公司: 大連星海專利事務所 21208
• 代理人: 花向陽

1.一種基于壓電阻抗法的熱障涂層熱生長氧化層無損檢測方法，使用強力膠將壓電晶片(3)粘貼于涂層試樣(4)上表面待檢測部位，其特征是：在所述壓電晶片(3)上表面焊接上、下電極的連接導線(2)，連接導線(2)與阻抗分析儀(1)之間采用電氣連接；將粘貼有壓電晶片(3)的涂層試樣(4)放置于泡沫板(5)上；借助計算機(6)對阻抗分析儀(1)測得的壓電晶片(3)的電阻抗信號進行分析；檢測熱生長氧化層時采用的測量步驟如下：

(1)設定阻抗分析儀(1)的測量參數；

(2)利用阻抗分析儀(1)在兆赫級頻率范圍內對氧化前的涂層試樣(4)進行電阻抗模值信號測量；

(3)根據電阻抗模值信號幅度譜，在兆赫級頻率范圍內選取諧振峰幅度明顯、分布集中的頻帶作為檢測頻段，確定采樣點數和采樣頻率；

(4)根據步驟(3)確定的檢測頻段，以固定采樣頻率的方式分別對氧化前后的涂層試樣(4)進行電阻抗模值信號測量；

(5)將涂層試樣(4)氧化前后電阻抗模值信號的測量數據代入到式1中，

RMSD(%)=Σi=1n(yi-xi)2Σi=1nxi2×100---(1)]]>

式中：n為采樣數據點數，x_i和y_i分別是氧化前后涂層試樣(4)電阻抗模值信號的測量結果，經計算得到涂層試樣(4)的氧化損傷識別指數RMSD值，并對熱生長氧化層的形成進行表征。