[發明專利]MOSFET及其制造方法

有效

• 申請號: 201110178387.6
• 申請日: 2011-06-29
• 公開（公告）號: CN102856201A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 朱慧瓏;梁擎擎;尹海洲;駱志炯
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種MOSFET的制造方法，包括：

提供SOI晶片，從下至上依次包括半導體襯底、第一絕緣埋層、第一半導體層、第二絕緣埋層和第二半導體層；

在第一半導體層中形成背柵；

在第二半導體層中形成源/漏區；

在第二半導體層上形成柵極；以及

提供源/漏區、柵極和背柵的電連接，

其中，背柵僅位于源/漏區中的一個及溝道區下方，而沒有位于源/漏區中的另一個下方，并且提供電連接包括提供背柵和源/漏區中的所述一個的公共的導電通道。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述提供電連接的步驟包括：

執行硅化工藝，在柵極的頂部、源/漏區的頂部及其遠離溝道區的側面、背柵的遠離溝道區的側面上形成硅化物，其中導電通道與硅化物接觸。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述形成背柵的步驟包括：

在第一半導體層中形成填充氧化物；以及

在第一半導體層中形成與填充氧化物自對準的背柵。

4.根據權利要求3所述的方法，其中在第一半導體層中形成填充氧化物的步驟包括：

執行第一次離子注入，在第一半導體層的一部分中形成犧牲注入區；

形成淺溝槽隔離開口，該淺溝槽隔離開口限定包括第一半導體層的未摻雜部分以及犧牲注入區的有源區，并暴露犧牲注入區的一個側面；

利用淺溝槽隔離開口，相對于半導體層的未摻雜部分選擇性地蝕刻掉犧牲注入區；以及

形成填充淺溝槽隔離開口并且在第二絕緣埋層下方延伸的填充氧化物。

5.根據權利要求4所述的方法，其中在第一半導體層中形成與填充氧化物自對準的背柵包括：

執行第二次離子注入，在第一半導體層的未摻雜部分中形成背柵。

6.根據權利要求5所述的方法，其中在第二次離子注入時采用的摻雜劑類型與MOSFET的導電類型相反。

7.根據權利要求5所述的方法，其中在第二次離子注入時采用的摻雜劑類型與MOSFET的導電類型相同。

8.根據權利要求4所述的方法，其中犧牲注入區是N型重摻雜區。

9.根據權利要求8所述的方法，其中第一半導體層是Si，并且在蝕刻掉犧牲注入區的步驟中采用的蝕刻劑為HC₂H₃O₂:HNO₃:HF。

10.根據權利要求1的方法，其中所述形成源/漏區的步驟包括：

在第二半導體層上形成外延生長第三半導體層；以及

在第二半導體層和第三半導體層中執行源/漏注入，以形成抬高的源/漏區。

11.一種MOSFET，包括：

半導體襯底；

半導體襯底上的第一絕緣埋層；

在第一絕緣埋層上的第一半導體層中形成的背柵；

第一半導體層上的第二絕緣埋層；

在第二絕緣埋層上的第二半導體層中形成的源/漏區；

第二半導體層上的柵極；以及

源/漏區、柵極和背柵的電連接，

其中，背柵僅位于源/漏區中的一個及溝道區下方，而沒有位于源/漏區中的另一個下方，所述電連接包括背柵和源/漏區中的所述一個的公共的導電通道。

12.根據權利要求11所述的MOSFET，還包括在柵極的頂部、源/漏區的頂部及其遠離溝道區的側面、背柵的遠離溝道區的側面上形成的硅化物，其中導電通道與硅化物接觸。

13.根據權利要求11所述的MOSFET，其中背柵包括與MOSFET導電類型相反的摻雜劑。

14.根據權利要求11所述的MOSFET，其中背柵包括與MOSFET導電類型相同的摻雜劑。

15.根據權利要求11所述的MOSFET，其中第二半導體層上外延生長的第三半導體層，所述源/漏區是在第二半導體層和第三半導體層中形成的抬高的源/漏區。