[發(fā)明專利]基于氧化物納米結構的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射源及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110167432.8
• 申請日: 2011-06-21
• 公開（公告）號: CN102262994A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設計）人: 張永愛;郭太良;葉蕓;胡利勤;吳朝興;鄭泳
• 申請（專利權）人: 福州大學
• 主分類號: H01J29/04
• 分類號: H01J29/04;H01J9/02
• 代理公司: 福州元創(chuàng)專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊

1.一種基于氧化物納米結構的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射源，包括陰極基板，設置于該陰極基板表面的陰極、柵極及氧化物納米結構的電子發(fā)射層，其特征在于：該陰極電極與該柵極電極平行交替排列，且該陰極電極與該柵極電極之間存在一個微米級間隙，該氧化物納米結構的電子發(fā)射層覆蓋于該陰極電極表面及該陰柵間隙內。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種基于氧化物納米結構的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射源，其特征在于，該陰極與該柵極位于同一個平面，所述間隙為0.1微米至300微米。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種基于氧化物納米結構的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射源，其特征在于，該氧化物納米結構的電子發(fā)射層形成一氧化物納米結構陣列，且該陣列位于陰極電極表面及陰柵間隙內。

4.根據(jù)權利要求3所述的一種基于氧化物納米結構的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射源，其特征在于，氧化物納米結構陣列形成一場發(fā)射電子源。

5.根據(jù)權利要求3所述的一種基于氧化物納米結構的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射源，其特征在于，氧化物納米結構陣列形成一表面電子傳導發(fā)射源。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種基于氧化物納米結構的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射源，其特征在于，該氧化物納米結構的電子發(fā)射層包括氧化鋅納米線、氧化錫納米線、氧化銅納米線、氧化鐵納米線、氧化鋇納米線、氧化鉍納米線、氧化銦納米線、氧化鎂納米線和四針狀氧化鋅。

7.根據(jù)權利要求6所述的一種基于氧化物納米結構的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射源，其特征在于，該納米線相互交叉向上排列在上述陰極電極表面及上述陰極和柵極之間的間隙內。

8.一種基于氧化物納米結構的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射源的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）?提供一基板材料，對基板襯底材料進行劃片、清洗；

（2）在基板材料的襯底上，采用光刻的方法制備陰極電極和柵極電極；

（3）在陰極電極和陰柵間隙內采用熱蒸發(fā)、絲網(wǎng)印刷或光刻技術沉積氧化物納米結構的電子發(fā)射層。

9.一種基于氧化物納米結構的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射源的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）?提供一基板材料，對基板襯底材料進行劃片、清洗；

（2）在基板材料的襯底上，采用光刻的方法制備陰極電極和柵極電極；

（3）利用光刻技術在柵極電極表面制備阻擋層；

（4）采用熱蒸發(fā)、絲網(wǎng)印刷或光刻技術在陰極電極、陰柵之間和阻擋層表面沉積納米氧化物的電子發(fā)射層。

（5）去除阻擋層。

10.一種基于氧化物納米結構的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射源的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在基板材料襯底上用光刻技術制備陰極電極；

（2）利用熱蒸發(fā)或絲網(wǎng)印刷或光刻技術在制備好陰極電極的基板上沉積氧化物納米結構的電子發(fā)射層；

（3）用光刻技術在陰極電極之間制備柵極電極。