[發(fā)明專利]一種ZnO基稀磁薄膜及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110166520.6
• 申請(qǐng)日: 2011-06-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102360710A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘峰;王鈺言;曾飛;陳光
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): H01F10/32
• 分類號(hào): H01F10/32;H01F41/14;H01F41/18
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 關(guān)暢

1.一種ZnO基稀磁薄膜，包括基片、位于所述基片上的稀磁薄膜和反鐵磁薄膜；

其中，構(gòu)成所述稀磁薄膜的材料為Zn_1-xTM_xO，所述Zn_1-xTM_xO中，x為0.2％-10.0％， TM為過(guò)渡金屬元素；

構(gòu)成所述反鐵磁薄膜的材料選自過(guò)渡金屬氧化物中的至少一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜，其特征在于：所述Zn_1-xTM_xO中，TM選自Co、 Ni和Fe中的至少一種，x為3％-5％，優(yōu)選4-5％；所述過(guò)渡金屬氧化物選自NiO、CoO 和CuO中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜，其特征在于：構(gòu)成所述基片的材料選自LiNbO₃、 Si、Al₂O₃和LiTaO₃中的至少一種，優(yōu)選LiNbO₃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的薄膜，其特征在于：所述稀磁薄膜的厚度為10～ 400nm，優(yōu)選15-120nm；所述反鐵磁薄膜的厚度為10～400nm，優(yōu)選10-60nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的薄膜，其特征在于：所述ZnO基稀磁薄膜由下 至上依次為所述基片、所述稀磁薄膜和所述反鐵磁薄膜；

或者，所述ZnO基稀磁薄膜由下至上依次為所述基片、所述反鐵磁薄膜和所述稀 磁薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的薄膜，其特征在于：所述ZnO基稀磁薄膜由下 至上依次為所述基片、所述稀磁薄膜和所述反鐵磁薄膜；其中，構(gòu)成所述基片的材料 為L(zhǎng)iNbO₃，構(gòu)成所述稀磁薄膜的材料為Zn_0.96Co_0.04O，構(gòu)成所述反鐵磁薄膜的材料為 NiO；所述稀磁薄膜的厚度為30nm，所述反鐵磁薄膜的厚度為10-60nm；所述ZnO基 稀磁薄膜的室溫飽和平均原子磁矩為3.0μ_B/Co～3.6μ_B/Co；

或者，所述ZnO基稀磁薄膜由下至上依次為所述基片、所述反鐵磁薄膜和所述稀 磁薄膜；其中，構(gòu)成所述基片的材料為L(zhǎng)iNbO₃，構(gòu)成所述反鐵磁薄膜的材料為NiO； 構(gòu)成所述稀磁薄膜的材料為Zn_0.95Ni_0.05O；所述稀薄膜的厚度為80nm，所述反鐵磁薄 膜的厚度為10-60nm；所述ZnO基稀磁薄膜的室溫飽和平均原子磁矩為2.1μ_B/Co～ 2.5μ_B/Co。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的薄膜，其特征在于：所述薄膜是按照權(quán)利要求 8-10任一所述方法制備而得。

8.一種制備權(quán)利要求1-6任一所述ZnO基稀磁薄膜的方法，為下述方法一或方 法二，其中，所述方法一包括如下步驟：在基片上依次制備一層稀磁薄膜和一層反鐵 磁薄膜，得到所述ZnO基稀磁薄膜；

所述方法二包括人如下步驟：在基片上依次制備一層反鐵磁薄膜和一層稀磁薄膜， 得到所述ZnO基稀磁薄膜。