[發(fā)明專利]使用Flash閃存的存儲空間代替EEPROM的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110163421.2
• 申請日: 2011-06-17
• 公開（公告）號: CN102270177A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發(fā)明（設計）人: 袁猛
• 申請（專利權）人: 南京LG新港顯示有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 張弛

技術領域

本發(fā)明涉及一種使用Flash閃存的存儲空間代替EEPROM的方法，特別是一種通過調整Flash閃存空間結構而使Flash閃存代替EEPROM的方法。

背景技術

在現(xiàn)有的電子產(chǎn)品中，如顯示器中，一般使用Flash閃存(Flash?Memory)來存儲顯示器的程序，使用EEPROM(Electrically?Erasable?Programmable?Read-Only?Memory，電可擦可編程只讀存儲器)來存儲顯示器的數(shù)據(jù)。但是，由于現(xiàn)有的顯示器所需要的程序占用空間均較小，只占用Flash閃存空間的一部分，而另外的顯示器數(shù)據(jù)還需要存儲在EEPROM中，故，造成了浪費。

因此，需要一種新的技術方案以解決上述問題。

發(fā)明內容

針對上述現(xiàn)有技術所存在的問題和不足，本發(fā)明的目的是提供一種使用Flash閃存的存儲空間代替EEPROM的方法。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明使用Flash閃存的存儲空間代替EEPROM的方法可采用如下技術方案：

一種使用Flash閃存的存儲空間代替EEPROM的方法，將Flash閃存的存儲空間分為程序存儲空間以及數(shù)據(jù)存儲空間，所述數(shù)據(jù)存儲空間中包含有10個子空間。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比：通過設置程序存儲空間以及數(shù)據(jù)存儲空間，使本來用EEPROM存儲的數(shù)據(jù)存儲至該數(shù)據(jù)存儲空間中。且由于Flash閃存的每個存儲空間的讀寫次數(shù)為10萬次，數(shù)據(jù)存儲空間中包含有10個子空間，從而可實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲空間共100萬次的讀寫次數(shù)，符合EEPROM?100萬次的讀寫要求，從而充分利用Flash閃存空間以降低成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明使用Flash閃存的存儲空間代替EEPROM的方法中Flash閃存的空間設計結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施方式，進一步闡明本發(fā)明，應理解下述具體實施方式僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領域技術人員對本發(fā)明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權利要求所限定的范圍。

本發(fā)明公開一種使用Flash閃存的存儲空間代替EEPROM的方法，將Flash閃存的存儲空間分為程序存儲空間以及數(shù)據(jù)存儲空間，所述數(shù)據(jù)存儲空間中包含有10個子空間。

請參閱圖1所示，為上述使用Flash閃存的存儲空間代替EEPROM的方法的一種具體實施方式。該Flash閃存共有256K的存儲空間，其中將216K的存儲空間(包括3個64K的存儲空間以及1個24K的存儲空間)用以作為程序存儲空間；而將剩下的40K的存儲空間作為數(shù)據(jù)存儲空間。其中，由于Flash閃存的每個存儲空間的讀寫次數(shù)為10萬次，故將40K的數(shù)據(jù)存儲空間分割為10個容量為4K的子空間，這樣整個40K數(shù)據(jù)存儲空間的讀寫次數(shù)即可達到100萬次，符合EEPROM?100萬次的讀寫要求，故可使該40K數(shù)據(jù)存儲空間代替EEPROM。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比：通過設置程序存儲空間以及數(shù)據(jù)存儲空間，使本來用EEPROM存儲的數(shù)據(jù)存儲至該數(shù)據(jù)存儲空間中。且由于Flash閃存的每個存儲空間的讀寫次數(shù)為10萬次，數(shù)據(jù)存儲空間中包含有10個子空間，從而可實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲空間共100萬次的讀寫次數(shù)，符合EEPROM?100萬次的讀寫要求。在故在電子產(chǎn)品，如顯示器中，可使用本發(fā)明使用Flash閃存的存儲空間代替EEPROM的方法使得只使用Flash閃存即可即存儲程序又存儲數(shù)據(jù)，無需再設置EEPROM，從而降低成本。