[發明專利]具可適應性濾波器的通用接收裝置無效
| 申請號: | 201110154325.1 | 申請日: | 2011-06-02 |
| 公開(公告)號: | CN102811067A | 公開(公告)日: | 2012-12-05 |
| 發明(設計)人: | 陳俊亮 | 申請(專利權)人: | 凌陽科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H04B1/10 | 分類號: | H04B1/10;H04B1/12 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;胡冰 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 適應性 濾波器 通用 接收 裝置 | ||
1.一種具可適應性濾波器的通用接收裝置,包括:
一天線,用以接收一射頻信號,該射頻信號具有多個帶寬,每一個帶寬中包含有多個頻道信號;
一低噪聲放大器,連接至該天線,對該射頻信號進行放大,以產生一放大射頻信號;
一帶通追蹤濾波器,連接至該低噪聲放大器,對該放大射頻信號進行濾波,以產生一放大濾波射頻信號;
一單端轉差動單元,連接至該帶通追蹤濾波器,以將該放大濾波射頻信號轉為一差動射頻信號;
一混波器,連接至該單端轉差動單元,并接收一差動本地振蕩信號,以產生一差動中頻信號;以及
一可適應性濾波器,連接至該混波器,對該差動中頻信號進行濾波,以產生一濾波差動中頻信號。
2.如權利要求1所述的具可適應性濾波器的通用接收裝置,其還包含:
一濾波中頻信號自動增益放大器,連接至該可適應性濾波器,對該濾波差動中頻信號進行放大,以產生一放大濾波差動中頻信號。
3.如權利要求2所述的具可適應性濾波器的通用接收裝置,其還包含:
一本地振蕩器,連接至該混波器,以產生該差動本地振蕩信號。
4.如權利要求3所述的具可適應性濾波器的通用接收裝置,其中,該帶通追蹤濾波器為一頻帶選擇濾波器,該濾波射頻信號中只包含一個特定帶寬中的多個頻道信號,且該特定帶寬的中心頻率為該帶通追蹤濾波器的中心頻率。
5.如權利要求4所述的具可適應性濾波器的通用接收裝置,其中,該可適應性濾波器為一頻道選擇濾波器,該濾波差動中頻信號為該特定帶寬中的一個特定頻道信號。
6.如權利要求5所述的具可適應性濾波器的通用接收裝置,其中,該可適應性濾波器具有高輸入阻抗。
7.如權利要求6所述的具可適應性濾波器的通用接收裝置,其中,該可適應性濾波器包含:
一第一濾波器,具有一第一品質因子,用以定義該可適應性濾波器的頻寬及中心頻率;
一第二濾波器,連接至該第一濾波器,具有一第二品質因子,該第一濾波器及該第二濾波器的頻譜用以定義該可適應性濾波器的頻寬中的低頻處的頻率及該頻寬中的低頻處的銳利度;以及
一第三濾波器,連接至該第二濾波器,具有一第三品質因子,該第一濾波器及該第三濾波器的頻譜用以定義該可適應性濾波器的頻寬中的高頻處的頻率及該頻寬中的高頻處的銳利度;
其中,該第一品質因子的值為5~15,該第二品質因子及該第三品質因子的值為15以上。
8.如權利要求7所述的具可適應性濾波器的通用接收裝置,其中,該第一濾波器、該第二濾波器及該第三濾波器的每個由一第一PMOS晶體管、一第二PMOS晶體管、一第一電感、一第一可變電容、一第一可變電阻、一第二可變電阻、一第三可變電阻、一第一NMOS晶體管、一第二NMOS晶體管及一第三NMOS晶體管所組成。
9.如權利要求8所述的具可適應性濾波器的通用接收裝置,其中,于該第一濾波器、該第二濾波器及該第三濾波器的每個中,該第一PMOS晶體管及該第二PMOS晶體管的源極連接至一高電位,該第一PMOS晶體管及該第二PMOS晶體管的柵極連接至一第一偏壓電位,該第一PMOS晶體管的漏極連接至該第一電感的一端、該第一可變電容的一端、該第一可變電阻的一端及該第一NMOS晶體管的漏極,該第二PMOS晶體管的漏極連接至該第一電感的另一端、該第一可變電容的另一端、該第一可變電阻的另一端及該第二NMOS晶體管的漏極,該第一NMOS晶體管及該第二NMOS晶體管的柵極接收一差動電壓,該第一NMOS晶體管的源極連接至該第二可變電阻的一端,該第二NMOS晶體管的源極連接至該第三可變電阻的一端,該第二可變電阻的另一端連接至該第三可變電阻的另一端及該第三NMOS晶體管的漏極,該第三NMOS晶體管的柵極連接至一第二偏壓電壓,該第三NMOS晶體管的源極連接至一低電位。
10.如權利要求9所述的具可適應性濾波器的通用接收裝置,其中,于該第一濾波器、該第二濾波器及該第三濾波器的每個中,該第一濾波器、該第二濾波器及該第三濾波器的第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第一可變電容、第一可變電阻、第二可變電阻、第三可變電阻、第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管及第三NMOS晶體管整合在同一個集成電路中。
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