[發(fā)明專利]圖案化導(dǎo)電元件的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110154066.2 | 申請(qǐng)日: | 2011-06-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102820093A | 公開(公告)日: | 2012-12-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 施博盛;鄭嘉雄 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天津富納源創(chuàng)科技有限公司;識(shí)驊科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01B13/00 | 分類號(hào): | H01B13/00;H01B5/14 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 300457 天津市濱海新區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖案 導(dǎo)電 元件 制備 方法 | ||
1.一種圖案化導(dǎo)電元件的制備方法,其具體包括:
提供一基底;
在所述基底的一表面形成一圖案化粘膠層;
在所述圖案化粘膠層表面形成一碳納米管層;
固化所述圖案化粘膠層,形成對(duì)應(yīng)所述圖案化粘膠層的已被固定碳納米管層和未對(duì)應(yīng)所述圖案化粘膠層的未被固定碳納米管層;以及
去除所述未被固定碳納米管層,形成一圖案化碳納米管層。
2.如權(quán)利要求1所述的圖案化導(dǎo)電元件的制備方法,其特征在于,所述圖案化粘膠層形成一預(yù)定圖案,且該預(yù)定圖案為單一圖形、多個(gè)相同的單一圖形的組合或多個(gè)不同的單一圖形的組合。
3.如權(quán)利要求1所述的圖案化導(dǎo)電元件的制備方法,其特征在于,所述在基底的表面形成圖案化粘膠層的方法為通過(guò)噴涂法、刷涂法或印刷法直接形成一預(yù)定圖案。
4.如權(quán)利要求1所述的圖案化導(dǎo)電元件的制備方法,其特征在于,所述形成一圖案化粘膠層的方法包括以下步驟:在基底表面涂敷一整層粘膠層;以及去除部分粘膠層而形成一預(yù)定圖案。
5.如權(quán)利要求1所述的圖案化導(dǎo)電元件的制備方法,其特征在于,所述形成一圖案化粘膠層的方法包括以下步驟:
在所述基底的表面形成一掩模層,該掩模層定義一圖案化開孔;以及
在圖案化開孔內(nèi)形成圖案化粘膠層。
6.如權(quán)利要求5所述的圖案化導(dǎo)電元件的制備方法,其特征在于,所述碳納米管層將形成于整個(gè)第一掩模層和圖案化粘膠層表面。
7.如權(quán)利要求6所述的圖案化導(dǎo)電元件的制備方法,其特征在于,所述去除未被固定碳納米管層的方法為:通過(guò)去除掩模層去除掩模層表面的碳納米管層。
8.如權(quán)利要求1所述的圖案化導(dǎo)電元件的制備方法,其特征在于,所述碳納米管層通過(guò)印刷法、沉積法或直接鋪設(shè)的方法形成于圖案化粘膠層表面。
9.如權(quán)利要求1所述的圖案化導(dǎo)電元件的制備方法,其特征在于,所述碳納米管層形成于圖案化粘膠層表面后,位于圖案化粘膠層表面的碳納米管層會(huì)部分或全部浸潤(rùn)到圖案化粘膠層中。
10.如權(quán)利要求1所述的圖案化導(dǎo)電元件的制備方法,其特征在于,所述圖案化粘膠層為UV膠層,且該UV膠層通過(guò)紫外光照射固化。
11.如權(quán)利要求1所述的圖案化導(dǎo)電元件的制備方法,其特征在于,所述去除未被固定碳納米管層的方法為膠帶粘結(jié)剝離法、清潔滾輪剝離法、激光刻蝕法、粒子束刻蝕法或電子束光刻法。
12.一種圖案化導(dǎo)電元件的制備方法,其具體包括:
提供一基底;
在所述基底的一表面形成一第一掩模層,該第一掩模層定義一圖案化開孔;
在圖案化開孔內(nèi)形成一圖案化粘膠層;
在所述第一掩模層和圖案化粘膠層的表面形成一碳納米管層,并固化所述圖案化粘膠層;以及
通過(guò)去除所述第一掩模層而去除第一掩模層表面的碳納米管層。
13.如權(quán)利要求12所述的圖案化導(dǎo)電元件的制備方法,其特征在于,所述在圖案化開孔內(nèi)形成一圖案化粘膠層的方法包括以下步驟:
在第一掩模層表面形成一第二掩模層,且該第二掩模層具有一與圖案化開孔對(duì)應(yīng)的開孔;
在圖案化開孔內(nèi)形成粘膠層;以及
去除第二掩模層。
14.如權(quán)利要求13所述的圖案化導(dǎo)電元件的制備方法,其特征在于,所述第一掩模層和第二掩模層為一自支撐結(jié)構(gòu),所述去除第一掩模層或第二掩模層的方法為一體剝離。
15.如權(quán)利要求13所述的圖案化導(dǎo)電元件的制備方法,其特征在于,所述第一掩模層和第二掩模層的材料為高分子材料。
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