[發明專利]具有嵌埋應變誘發材料的晶體管

有效

• 申請號: 201110153220.4
• 申請日: 2011-05-31
• 公開（公告）號: CN102263032A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: F·威爾貝雷特;A·衛
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司;格羅方德半導體德累斯頓第一模數有限責任及兩合公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種方法，包括：

在晶體管的一開始是結晶的主動區域中形成非結晶部分，該非結晶部分是側向相鄰于該晶體管的柵極電極結構；

實施第一蝕刻制程，以將該非結晶部分的材料以實質上與方向無關的方式移除，并提供開口；

實施第二蝕刻制程，以調整該開口的尺寸及形狀，該第二蝕刻制程具有結晶異向性移除率；以及

通過選擇性外延成長制程，以至少在該開口中形成應變誘發半導體。

2.如權利要求1所述的方法，其中，該第一蝕刻制程為濕化學蝕刻制程。

3.如權利要求1所述的方法，其中，通過使用等向性電漿蝕刻制程，以實施該第一蝕刻制程。

4.如權利要求1所述的方法，其中，該第一及第二蝕刻制程是濕化學蝕刻制程。

5.如權利要求1所述的方法，其中，形成該非結晶部分包含實施離子布植制程。

6.如權利要求5所述的方法，其中，實施該離子布植制程包含使用非零的傾斜角。

7.如權利要求1所述的方法，其中，實施該第一蝕刻制程，以實質上完全地移除該非結晶部分。

8.如權利要求1所述的方法，另包含在實施該第一蝕刻制程前，修改該非結晶部分的材料成分及結晶結構的至少一者。

9.如權利要求8所述的方法，其中，該非結晶部分的材料成分經修改后，該修改部分的蝕刻率在實施該第一蝕刻制程時，較該主動區域的未修改部分大。

10.如權利要求8所述的方法，其中，通過實施退火制程，以修改該結晶結構。

11.一種形成晶體管的方法，該方法包含：

實施離子布植制程，以將布植物種引進至側向相鄰于柵極電極結構的半導體區域中；

通過實施蝕刻制程及通過使用該布植物種來控制該蝕刻制程，以在側向相鄰于該柵極電極結構的該半導體區域中形成開口；

在該開口中形成應變誘發半導體合金；以及

在該半導體區域中形成漏極及源極區域。

12.如權利要求11所述的方法，其中，實施該離子布植制程，以產生非結晶部分。

13.如權利要求12所述的方法，其中，實施蝕刻制程包含通過使用等向性蝕刻配方移除該非結晶部分。

14.如權利要求13所述的方法，其中，形成該開口另包含在移除該非結晶部分后，施加結晶異向性蝕刻配方。

15.如權利要求11所述的方法，其中，形成該開口另包含修改一部分該半導體區域的材料部分，以具有增加的蝕刻率。

16.如權利要求11所述的方法，其中，實施該離子布植制程包含使用傾斜角。

17.如權利要求11所述的方法，其中，實施該離子布植制程包含使用第一參數設定及使用第二參數設定，該第一參數設定是用來在漏極側引進該布植物種，該第二參數設定是用來在源極側引進該布植物種，其中，該第一參數設定不同于該第二參數設定。

18.一種形成半導體裝置的方法，該方法包含：

修改晶體管的一部分的主動區域，以對等向性蝕刻配方具有增加的移除率；

實施蝕刻制程，并施加該蝕刻配方，以在該主動區域中形成開口；

在該開口中形成至少一個傾斜側壁表面；以及

在該開口中形成應變誘發半導體合金。

19.如權利要求18所述的方法，其中，形成至少一個傾斜側壁表面包含實施濕化學蝕刻制程，該濕化學蝕刻制程對至少兩個不同的結晶軸具有不同的移除率。

20.如權利要求20所述的方法，其中，修改一部分該主動區域包含并入布植物種。