[發明專利]溝槽式多晶硅二極管有效
| 申請號: | 201110147177.0 | 申請日: | 2006-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN102322968A | 公開(公告)日: | 2012-01-18 |
| 發明(設計)人: | 陳曲飛;羅伯特.徐;凱爾.特里爾;戴娃.帕塔納亞克 | 申請(專利權)人: | 維西埃-硅化物公司 |
| 主分類號: | G01K7/01 | 分類號: | G01K7/01;H01L21/336;H01L29/866;H01L29/78;H01L27/06 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 丁藝;沙捷 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 溝槽 多晶 二極管 | ||
1.一種溫度傳感器,包括:
第一溝槽式多晶硅二極管,其被電連接到第一管腳和第二管腳,其中所述第一溝槽式多晶硅二極管的一部分位于N-(P-)型外延區域的表面之下;和
第二溝槽式多晶硅二極管,其被連接到所述第一管腳和所述第二管腳,其中所述第二溝槽式多晶硅二極管的一部分位于所述N-(P-)型外延區域的所述表面之下,
其中所述第一溝槽式多晶硅二極管和所述第二溝槽式多晶硅二極管被反并聯地連接,其中能夠通過在所述第一管腳和所述第二管腳之間測量的電壓來確定溫度。
2.如權利要求1所述的溫度傳感器,其中所述第一和第二溝槽式二極管是溝槽式多晶硅二極管。
3.如權利要求1-2中任一項所述的溫度傳感器,還包括查詢表,所述查詢表包括多個電壓和對應的溫度值。
4.如權利要求1-3中任一項所述的溫度傳感器,其中所述第一和第二二極管包括P+型多晶硅區域和N+型多晶硅區域。
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