1.一種等離子體處理裝置，其對處理室內的基板實施規定的等離子體處理，該等離子體處理裝置的特征在于，包括：
設置于所述處理室的底壁，且載置所述基板的下部電極；
與所述下部電極相對設置，且設置有向被載置的所述基板導入處理氣體的多個吹出孔的上部電極；
在所述電極間施加用于形成所述處理氣體的等離子體的高頻電力的電極供給部；
設置于所述處理室的頂壁，使所述上部電極在所述頂壁與所述下部電極之間升降的升降機構；
圍繞各所述電極和各電極之間的處理空間的周圍的筒狀壁；
設置于所述筒狀壁的內側，對所述處理空間的氣氛進行排氣的內側排氣通道；和
設置于所述筒狀壁的外側，對迂回流入所述上部電極與所述頂壁之間的空間的處理氣體進行排氣的外側排氣通道。
2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述筒狀壁是設置于所述處理室的側壁的內側的保護側壁，
所述外側排氣通道是形成于所述處理室的側壁與所述保護側壁之間的排氣空間。
3.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
在所述保護側壁的上部設有外伸的凸緣部，以蓋住所述外側排氣通道，
在所述凸緣部上形成有將所述外側排氣通道與所述上部電極和所述頂壁之間的空間連通的多個連通孔，通過改變該連通孔的數量或者形狀來調整所述外側排氣通道的流導。
4.如權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述凸緣部在其上側沿著所述保護側壁的外周設置有槽部，
在所述槽部的底部設置有所述連通孔，并且在所述槽部的側部形成有連通所述上部電極與所述保護側壁的間隙的連通孔。
5.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述筒狀壁是所述處理室的側壁，
所述外側排氣通道是將所述上部電極和所述頂壁之間的空間與連接所述處理室的排氣口的排氣管連通的旁路配管。
