[發明專利]制造印刷電路板的方法

有效

• 申請號: 201110144907.1
• 申請日: 2011-05-30
• 公開（公告）號: CN102378493A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 金致成;李東峻;方正潤
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H05K3/28
• 分類號: H05K3/28;H05K3/34
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 陳小蓮;周建秋

相關申請的交叉引用

本申請要求2010年8月20日提交的題為“制造印刷電路板的方法”的韓國專利申請10-2010-0080956的權益，該專利申請的全部內容引入本申請中以作參考。

技術領域

本發明涉及一種制造印刷電路板的方法。

背景技術

印刷電路板的表面處理過程表示在金屬表面或非金屬表面上使用其他金屬或非金屬形成膜的過程，以便改善耐磨性、耐熱性、導電性等。

作為印刷電路板的表面處理方法之一，常規使用不含鉛的熱風整平(HASL)方法。該方法也稱為熱空氣流平方法，是用于許多印刷電路板企業的方法之一。在該方法中，將基材在高溫儲罐中浸漬，在該高溫儲罐中熔融SnAgCu焊劑，隨后與熱空氣一起施用，從而使焊劑的厚度平面化。根據相關領域，最廣泛已知使用Pb-Sn焊劑的方案；然而，SnAgCu焊劑由于其熔融點高，在通過施用熱空氣被處理的過程中存在一些問題，使得不能使用該焊劑。印刷電路板中不含鉛的焊劑的厚度隨熱空氣的強度而變，使得在SMD過程中發生部件移除現象。此外，當印刷電路板的電路密度增加時，墊板之間的間隔變窄，使得應形成焊橋。因此，在精細圖案中難以施用HASL方法。

為了解決HASL表面處理方法的問題，近來使用有機保焊膜(OSP)表面處理方法。OSP表面處理方法成本低、生產率高并且焊點強，從而可以實現高可靠性。然而，OSP表面處理方法的耐熱性低于其他表面處理方法。因此，當進行高溫回流過程時，OSP處理層劣化和缺失，使得發生脫色。特別是，當在印刷電路板上安裝無源元件等以便為印刷電路板提供各種功能時，OSP處理層在進行多次回流過程時被進一步嚴重破壞。

發明內容

本發明致力于提供一種制造印刷電路板的方法，其中，在回流過程之后，在墊板部分或基準標記上再次形成OSP處理層，而不形成焊劑凸點，從而防止墊板部分或基準標記被腐蝕或脫色。

根據本發明的第一優選的實施方式，提供了一種制造印刷電路板的方法，所述方法包括：(A)在施用于基底基材上的阻焊層中形成開孔，使得基底基材的墊板部分和基準標記(fiducial?mark)暴露出來；(B)在已暴露的墊板部分和基準標記上形成第一有機保焊膜(OSP)處理層；(C)通過在墊板部分上進行撞擊過程和回流過程，在墊板部分上形成焊劑凸點；以及(D)在基準標記上形成第二OSP處理層。

所述焊劑凸點的形成可包括將所述墊板部分分成至少兩個墊板部分并且在每個墊板部分上分別進行撞擊和回流過程。

所述焊劑凸點的形成可包括在進行撞擊和回流過程之后進行去焊劑過程。

所述第一OSP處理層的形成可包括以水清洗、酸清洗、軟蝕刻、預處理、干燥、OSP處理、水清洗和干燥的順序形成所述第一OSP處理層，而所述第二OSP處理層的形成可包括以酸清洗、預處理、OSP處理、水清洗和干燥的順序形成所述第二OSP處理層。

在形成所述第一OSP處理層和形成所述第二OSP處理層時，可使用相同的溶液形成所述第一OSP處理層和所述第二OSP處理層。

在形成所述第一OSP處理層和形成所述第二OSP處理層時，可使用包括咪唑、葡糖酸或乙酸的溶液形成所述第一OSP處理層或所述第二OSP處理層。

所述第二OSP處理層的形成可包括僅在基準標記上選擇性地形成所述第二OSP處理層。

根據本發明的第二優選的實施方式，提供了一種制造印刷電路板的方法，所述方法包括：(A)在施用于基底基材上的阻焊層中形成開孔，使得在基底基材的一個表面上形成的第一墊板部分和在其另一個表面上形成的第二墊板部分暴露出來；(B)在已暴露的第一墊板部分和第二墊板部分上形成第一有機保焊膜(OSP)處理層；(C)通過在所述第一墊板部分上進行撞擊過程和回流過程在其上形成焊劑凸點；以及(D)在第二墊板部分上形成第二OSP處理層。

所述焊劑凸點的形成可包括將所述第一墊板部分分成至少兩個墊板部分并且在每一個第一墊板部分上分別進行撞擊和回流過程。

所述焊劑凸點的形成可包括在進行撞擊和回流過程之后進行去焊劑過程。

所述第一OSP處理層的形成可包括以水清洗、酸清洗、軟蝕刻、預處理、干燥、OSP處理、水清洗和干燥的順序形成所述第一OSP處理層，而所述第二OSP處理層的形成可包括以酸清洗、預處理、OSP處理、水清洗和干燥的順序形成所述第二OSP處理層。

在形成所述第一OSP處理層和形成所述第二OSP處理層時，可使用相同的溶液形成所述第一OSP處理層和所述第二OSP處理層。