[發明專利]一種改善太陽電池前電極電鍍質量的方法有效
| 申請號: | 201110143880.4 | 申請日: | 2011-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN102222729A | 公開(公告)日: | 2011-10-19 |
| 發明(設計)人: | 廖明墩;查超麟 | 申請(專利權)人: | 浙江晶科能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L21/288;C25D7/12 |
| 代理公司: | 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100 | 代理人: | 吳關炳 |
| 地址: | 314416 浙江省嘉*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 太陽電池 電極 電鍍 質量 方法 | ||
1.一種改善太陽電池前電極電鍍質量的方法,包括預處理、燒結、激光掃描開槽和電鍍四個步驟,其中:
預處理:對硅片進行制絨、擴散、邊緣隔離和去除PSG、鍍鈍化減反射介質膜、印刷背電極和背電場;
燒結:將完成預處理步驟的硅片置于燒結爐內在300℃~900?℃之間燒結;
激光掃描開槽:將完成燒結步驟的半成品電池片置于激光加工平臺上,對欲制作正面電極的主柵和細柵位置進行激光掃描,被激光照射位置的介質膜在激光產生的高溫下被燒蝕,使主柵和細柵位置發射極裸露出來;
電鍍:將完成激光掃描開槽步驟的半成品電池片進行電鍍,使正面電極位置沉積上金屬,然后退火;
其特征在于:
在所述的預處理步驟和燒結步驟間,還包括絲網印刷預制備主柵線正電極步驟,即將完成所述預處理步驟的硅片使用特制的網版印刷只有主柵線的正電極,以優化電鍍過程中電池片表面電力線的分布;
所述的激光掃描開槽步驟為激光掃描細柵開槽,即對欲制作正面細柵的位置進行激光掃描并使該位置發射極裸露出來;
所述的電鍍是對完成激光掃描細柵開槽半成品電池片進行電鍍,用低濃度HF酸溶液或HF和NH4F混合溶液進行表面活化后,放入化學鍍鎳槽中,在正面細柵位置上沉積0.1~1.0?μm的鎳,再放入電鍍銀槽中,沉積2~20μm的銀,然后退火以形成鎳硅合金,完成電池片前電極的制作。
2.根據權利要求1所述的一種改善太陽電池前電極電鍍質量的方法,其特征在于,所述的介質膜是SiO2和/或SiNx:H的單層薄膜或多層復合薄膜。
3.根據權利要求1所述的一種改善太陽電池前電極電鍍質量的方法,其特征在于,所述的化學鍍鎳采用光輔助化學鍍,所述的電鍍銀采用光誘導電鍍。
4.根據權利要求1所述的一種改善太陽電池前電極電鍍質量的方法,其特征在于,在所述的激光掃描細柵開槽步驟中,也包括在介質膜上涂覆一層磷酸,激光掃描細柵開槽后同時形成局部重摻雜。
5.根據權利要求4所述的一種改善太陽電池前電極電鍍質量的方法,其特征在于,所述的激光為紫外或綠光脈沖激光。
6.根據權利要求1所述的一種改善太陽電池前電極電鍍質量的方法,其特征在于,所述的退火的溫度為250℃~600℃。
7.根據權利要求6所述的一種改善太陽電池前電極電鍍質量的方法,其特征在于,所述的退火的溫度為350℃~400℃。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





