[發(fā)明專利]調(diào)速開關(guān)的啟動(dòng)方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110143450.2
• 申請(qǐng)日: 2011-05-31
• 公開（公告）號(hào): CN102307045A
• 公開（公告）日: 2012-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陸亞洲;王金峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 張家港華捷電子有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/687
• 分類號(hào): H03K17/687
• 代理公司: 張家港市高松專利事務(wù)所 32209
• 代理人: 孫高

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及到一種調(diào)速開關(guān)的啟動(dòng)方法。

背景技術(shù)

如圖1所示，一種調(diào)速開關(guān)包括觸點(diǎn)開關(guān)K1、MOS管（金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和連接觸點(diǎn)開關(guān)K1和MOS管的滑動(dòng)變阻器K2。上述結(jié)構(gòu)的調(diào)速開關(guān)的原先調(diào)速方法為先將滑動(dòng)變阻器K2處于接通狀態(tài)，然后閉合觸點(diǎn)開關(guān)K1，再推動(dòng)滑動(dòng)變阻器K2上的滑片，從而實(shí)現(xiàn)調(diào)速開關(guān)的調(diào)速。缺點(diǎn)是：觸點(diǎn)開關(guān)K1在接通和斷開時(shí)，容易產(chǎn)生電弧，使觸點(diǎn)開關(guān)K1受到損傷。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種在調(diào)速過程中不會(huì)產(chǎn)生電弧的調(diào)速開關(guān)的啟動(dòng)方法。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：調(diào)速開關(guān)的啟動(dòng)方法，先閉合觸點(diǎn)開關(guān)K1，再接通滑動(dòng)變阻器K2，然后推動(dòng)滑動(dòng)變阻器K2上的滑片，當(dāng)滑動(dòng)變阻器K2的阻值滿足單片機(jī)內(nèi)設(shè)定值時(shí)，單片機(jī)控制MOS管接通，實(shí)現(xiàn)調(diào)速開關(guān)的啟動(dòng)。

本發(fā)明的有益效果是：觸點(diǎn)開關(guān)K1在接通和斷開時(shí)，調(diào)速開關(guān)沒有電流通過，不會(huì)產(chǎn)生電??；滑動(dòng)變阻器K2接通和斷開時(shí)，電子元件MOS管處于關(guān)閉狀態(tài)，也無電流通過，故不會(huì)產(chǎn)生電弧。

附圖說明

圖1是本發(fā)明中調(diào)速開關(guān)的電路框圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，詳細(xì)描述本發(fā)明的具體實(shí)施方案。

如圖1所示，一種調(diào)速開關(guān)，包括觸點(diǎn)開關(guān)K1、MOS管和連接觸點(diǎn)開關(guān)K1和MOS管的滑動(dòng)變阻器K2?；瑒?dòng)變阻器K2安裝在調(diào)速控制板1上。上述調(diào)速開關(guān)的啟動(dòng)方法為：先閉合觸點(diǎn)開關(guān)K1，再接通滑動(dòng)變阻器K2，然后推動(dòng)滑動(dòng)變阻器K2上的滑片，當(dāng)滑動(dòng)變阻器K2的阻值滿足單片機(jī)內(nèi)設(shè)定值時(shí)，單片機(jī)控制MOS管接通，實(shí)現(xiàn)調(diào)速開關(guān)的啟動(dòng)。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：觸點(diǎn)開關(guān)K1在接通和斷開時(shí)，調(diào)速開關(guān)沒有電流通過，不會(huì)產(chǎn)生電??；滑動(dòng)變阻器K2接通和斷開時(shí)，電子元件MOS管處于關(guān)閉狀態(tài)，也無電流通過，故不會(huì)產(chǎn)生電弧。