[發明專利]電子器件陣列

有效

• 申請號: 201110141828.5
• 申請日: 2005-12-16
• 公開（公告）號: CN102299259A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發明（設計）人: 保羅·A·凱恩
• 申請（專利權）人: 造型邏輯有限公司
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L51/40;H01L27/28
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王以平

1.一種制造電子器件陣列的方法，包括以下步驟：在襯底上形成第一電子器件的一個或多個第一導電元件以及在所述襯底上形成第二電子器件的一個或多個第二導電元件；在襯底和第一及第二導電元件上形成溝道材料層以提供第一溝道，用于所述第一電子器件的導電元件之間的電荷載流子運動，以及提供第二溝道用于所述第二電子器件的導電元件之間的電荷載流子運動；其中該方法還包括利用照射技術以在單一步驟中減小在第一和第二導電元件之間的一個或多個區域中的溝道材料層的一個或多個選定部分的導電性的步驟(a)。

2.權利要求1中記載的方法，其中，

所述步驟(a)包括使用照射技術以在單一步驟中去除溝道材料層的所述一個或多個選定部分，從而減小所述一個或多個選定部分的導電性。

3.權利要求2中記載的方法，其中，

所述步驟(a)以不照射第一和第二導電元件上方的溝道材料層的任何部分的方式進行。

4.權利要求1～3中任一項記載的方法，其中，

溝道材料為半導體材料。

5.權利要求1中記載的方法，其中，

所述步驟(a)包括使用所述照射技術以在位于第一和第二導電元件之間的溝道材料層的一個或多個選定部分、和/或位于溝道材料層的所述一個或多個選定部分之下的襯底的各個部分局部地產生熱，其中所述熱引起溝道材料的光致發熱和/或光化學變性處理，用于降低溝道材料層的所述一個或多個選定部分的導電性。

6.上述權利要求中任一項記載的方法，其中，

所述步驟(a)包括燒蝕所述溝道材料的所述部分。

7.權利要求6中記載的方法，其中，

利用紫外激光輻射燒蝕所述溝道材料的所述部分。

8.權利要求1中記載的方法，其中，

所述步驟(a)中的一個或多個選定部分包括在垂直于所述第一和第二導電元件之間的方向上延伸的一條或多條線。

9.權利要求1中記載的方法，還包括：

在襯底上形成一對第一導電元件和一對第二導電元件；其中溝道材料層在所述一對第一導電元件之間提供所述第一溝道和在所述一對第二導電元件之間提供所述第二溝道。

10.權利要求9中記載的方法，其中，

所述溝道材料層中的所述選定部分與所述第一和第二溝道的間距大于10微米。