[發(fā)明專利]成膜方法和成膜裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110141591.0
• 申請日: 2011-05-27
• 公開（公告）號: CN102263027A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 原田豪繁;兩角友一朗;菱屋晉吾
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;H01L21/31
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種成膜方法，其特征在于，

向能保持真空的處理容器內(nèi)搬入被處理體，將上述處理容器內(nèi)保持為真空的狀態(tài)，

通過分別調(diào)整第1工序的次數(shù)和第2工序的次數(shù)地實施該第1工序和第2工序，一邊控制膜中的Si濃度一邊形成規(guī)定膜厚的氧化鋯系膜，該第1工序為，向上述處理容器內(nèi)以鋯原料、氧化劑的順序依次供給鋯原料和氧化劑，從而在被處理體上形成ZrO膜；該第2工序為，向上述處理容器內(nèi)以鋯原料、硅原料、氧化劑的順序依次供給鋯原料、硅原料和氧化劑，從而在被處理體上形成摻雜有Si的ZrO膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

調(diào)整上述第1工序的次數(shù)和上述第2工序的次數(shù)，使得平坦膜的膜中的Si濃度成為1.0atm％以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

在供給上述鋯原料和供給上述氧化劑之間、以及供給上述硅原料和供給上述氧化劑之間、供給上述鋯原料和供給上述硅原料之間，排出上述處理容器內(nèi)的氣體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

在上述成膜后，在450℃以下的溫度條件下對所獲得的膜進行退火處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

上述鋯原料是從四(乙基甲基氨基)鋯即TEMAZ、四(二乙基氨基)鋯即TDEAZ、環(huán)戊二烯三(二甲基氨基)鋯即MCPDTMZ中選擇的任1種原料。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的成膜方法，其特征在于，

在使上述鋯原料氣化時，利用上述鋯原料的蒸氣壓使該鋯原料氣化。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

上述鋯原料是從三(二甲氨基)硅烷即3DMAS、四(二甲氨基)硅烷即4DMAS、雙叔丁基氨基硅烷即BTBAS、二氯硅烷即DCS、六氯乙硅烷即HCD、單硅烷即SiH₄、乙硅烷即Si₂H₆、四氯化硅即TCS中選擇的任一種原料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

上述氧化劑是從O₂氣體和H₂氣體形成的自由基、以及O₃氣體、H₂O氣體、O₂氣體、NO₂氣體、NO氣體、N₂O氣體中選擇的至少1種。

9.一種成膜裝置，該成膜裝置是用于在被處理體上形成金屬氧化膜的成膜裝置，其特征在于，

該成膜裝置包括：

處理容器，其為能保持真空的立式容器，呈筒體狀；

保持構(gòu)件，其在將上述被處理體保持為多層的狀態(tài)下將該被處理體收容在上述處理容器內(nèi)；

加熱裝置，其被設(shè)置于上述處理容器的外周；

鋯原料供給機構(gòu)，其用于向上述處理容器內(nèi)供給鋯原料；

硅原料供給機構(gòu)，其用于向上述處理容器內(nèi)供給硅原料；

氧化劑供給機構(gòu)，其用于向上述處理容器內(nèi)供給氧化劑；

控制機構(gòu)，其控制上述鋯原料供給機構(gòu)、上述硅原料供給機構(gòu)和上述氧化劑供給機構(gòu)，

上述控制機構(gòu)進行控制，從而向能保持真空的上述處理容器內(nèi)搬入被處理體，將上述處理容器內(nèi)保持為真空的狀態(tài)，通過調(diào)整第1工序的次數(shù)和第2工序的次數(shù)，一邊控制膜中的Si濃度一邊形成規(guī)定膜厚的氧化鋯系膜，該第1工序為，向上述處理容器內(nèi)以鋯原料、氧化劑的順序依次供給鋯原料和氧化劑，從而在上述被處理體上形成ZrO膜；該第2工序為，向上述處理容器內(nèi)以鋯原料、硅原料、氧化劑的順序依次供給鋯原料、硅原料和氧化劑，從而在上述被處理體上形成摻雜有Si的ZrO膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成膜裝置，其特征在于，

上述控制機構(gòu)調(diào)整上述第1工序的次數(shù)和上述第2工序的次數(shù)，使得平坦膜的膜中的Si濃度成為1.0atm％以下。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成膜裝置，其特征在于，

上述控制機構(gòu)進行控制，使得在供給上述鋯原料和供給上述氧化劑之間、以及供給上述硅原料和供給上述氧化劑之間、供給上述鋯原料和供給上述硅原料之間，排出上述處理容器內(nèi)的氣體。