[發(fā)明專利]成膜方法和成膜裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110141591.0 | 申請日: | 2011-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN102263027A | 公開(公告)日: | 2011-11-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 原田豪繁;兩角友一朗;菱屋晉吾 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/316 | 分類號: | H01L21/316;H01L21/31 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 方法 裝置 | ||
1.一種成膜方法,其特征在于,
向能保持真空的處理容器內(nèi)搬入被處理體,將上述處理容器內(nèi)保持為真空的狀態(tài),
通過分別調(diào)整第1工序的次數(shù)和第2工序的次數(shù)地實施該第1工序和第2工序,一邊控制膜中的Si濃度一邊形成規(guī)定膜厚的氧化鋯系膜,該第1工序為,向上述處理容器內(nèi)以鋯原料、氧化劑的順序依次供給鋯原料和氧化劑,從而在被處理體上形成ZrO膜;該第2工序為,向上述處理容器內(nèi)以鋯原料、硅原料、氧化劑的順序依次供給鋯原料、硅原料和氧化劑,從而在被處理體上形成摻雜有Si的ZrO膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法,其特征在于,
調(diào)整上述第1工序的次數(shù)和上述第2工序的次數(shù),使得平坦膜的膜中的Si濃度成為1.0atm%以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法,其特征在于,
在供給上述鋯原料和供給上述氧化劑之間、以及供給上述硅原料和供給上述氧化劑之間、供給上述鋯原料和供給上述硅原料之間,排出上述處理容器內(nèi)的氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法,其特征在于,
在上述成膜后,在450℃以下的溫度條件下對所獲得的膜進行退火處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法,其特征在于,
上述鋯原料是從四(乙基甲基氨基)鋯即TEMAZ、四(二乙基氨基)鋯即TDEAZ、環(huán)戊二烯三(二甲基氨基)鋯即MCPDTMZ中選擇的任1種原料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的成膜方法,其特征在于,
在使上述鋯原料氣化時,利用上述鋯原料的蒸氣壓使該鋯原料氣化。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法,其特征在于,
上述鋯原料是從三(二甲氨基)硅烷即3DMAS、四(二甲氨基)硅烷即4DMAS、雙叔丁基氨基硅烷即BTBAS、二氯硅烷即DCS、六氯乙硅烷即HCD、單硅烷即SiH4、乙硅烷即Si2H6、四氯化硅即TCS中選擇的任一種原料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法,其特征在于,
上述氧化劑是從O2氣體和H2氣體形成的自由基、以及O3氣體、H2O氣體、O2氣體、NO2氣體、NO氣體、N2O氣體中選擇的至少1種。
9.一種成膜裝置,該成膜裝置是用于在被處理體上形成金屬氧化膜的成膜裝置,其特征在于,
該成膜裝置包括:
處理容器,其為能保持真空的立式容器,呈筒體狀;
保持構(gòu)件,其在將上述被處理體保持為多層的狀態(tài)下將該被處理體收容在上述處理容器內(nèi);
加熱裝置,其被設(shè)置于上述處理容器的外周;
鋯原料供給機構(gòu),其用于向上述處理容器內(nèi)供給鋯原料;
硅原料供給機構(gòu),其用于向上述處理容器內(nèi)供給硅原料;
氧化劑供給機構(gòu),其用于向上述處理容器內(nèi)供給氧化劑;
控制機構(gòu),其控制上述鋯原料供給機構(gòu)、上述硅原料供給機構(gòu)和上述氧化劑供給機構(gòu),
上述控制機構(gòu)進行控制,從而向能保持真空的上述處理容器內(nèi)搬入被處理體,將上述處理容器內(nèi)保持為真空的狀態(tài),通過調(diào)整第1工序的次數(shù)和第2工序的次數(shù),一邊控制膜中的Si濃度一邊形成規(guī)定膜厚的氧化鋯系膜,該第1工序為,向上述處理容器內(nèi)以鋯原料、氧化劑的順序依次供給鋯原料和氧化劑,從而在上述被處理體上形成ZrO膜;該第2工序為,向上述處理容器內(nèi)以鋯原料、硅原料、氧化劑的順序依次供給鋯原料、硅原料和氧化劑,從而在上述被處理體上形成摻雜有Si的ZrO膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成膜裝置,其特征在于,
上述控制機構(gòu)調(diào)整上述第1工序的次數(shù)和上述第2工序的次數(shù),使得平坦膜的膜中的Si濃度成為1.0atm%以下。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成膜裝置,其特征在于,
上述控制機構(gòu)進行控制,使得在供給上述鋯原料和供給上述氧化劑之間、以及供給上述硅原料和供給上述氧化劑之間、供給上述鋯原料和供給上述硅原料之間,排出上述處理容器內(nèi)的氣體。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





