[發明專利]低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制作方法

有效

• 申請號: 201110140282.1
• 申請日: 2011-05-27
• 公開（公告）號: CN102709283A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 馬占潔
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 武晨燕;周義剛

1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管LTPS?TFT陣列基板，所述陣列基板包括：基板、有源層、源漏電極、柵絕緣層、柵電極、像素電極和保護層；其中，所述LTPS?TFT為頂柵型TFT；其特征在于，所述有源層和其上方的導電結構是通過半色調或灰色調一次構圖工藝形成的。

2.根據權利要求1所述的LTPS?TFT陣列基板，其特征在于，所述有源層上方的導電結構為源漏電極。

3.根據權利要求1所述的LTPS?TFT陣列基板，其特征在于，所述有源層上方的導電結構為所述陣列基板的周邊區域中的數據線金屬層測試線，所述數據線金屬層測試線與所述周邊區域中的柵電極金屬層測試線相接觸或不接觸。

4.根據權利要求1所述的LTPS?TFT陣列基板，其特征在于，所述有源層上方的導電結構為所述陣列基板的周邊區域中的數據線引線，所述數據線金屬層測試線與所述周邊區域中的柵電極金屬層測試線不接觸。

5.根據權利要求3或4所述的LTPS?TFT陣列基板，其特征在于，所述柵電極金屬層測試線上方具有透明導電層。

6.根據權利要求1所述的LTPS?TFT陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括緩沖層，所述緩沖層位于基板的上方、有源層和柵絕緣層的下方。

7.一種LTPS?TFT陣列基板的制作方法，制作出基板、有源層、源漏電極、柵絕緣層、柵電極、像素電極和保護層；其中，所述LTPS?TFT為頂柵型TFT，其特征在于，所述方法包括：

通過半色調或灰色調一次構圖工藝形成所述有源層和其上方的導電結構。

8.根據權利要求7所述的LTPS?TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述有源層上方的導電結構為源漏電極。

9.根據權利要求7所述的LTPS?TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述有源層上方的導電結構為所述陣列基板的周邊區域中的數據線金屬層測試線，所述數據線金屬層測試線與所述周邊區域中的柵電極金屬層測試線相接觸或不接觸。

10.根據權利要求7所述的LTPS?TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述有源層上方的導電結構為所述陣列基板的周邊區域中的數據線引線，所述數據線金屬層測試線與所述周邊區域中的柵電極金屬層測試線不接觸。

11.根據權利要求9或10所述的LTPS?TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述柵電極金屬層測試線上方具有透明導電層。

12.根據權利要求7所述的LTPS?TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：制作緩沖層，所述緩沖層位于基板的上方、有源層和柵絕緣層的下方。