[發(fā)明專利]深槽高壓終端結(jié)構(gòu)的制作方法以及高壓半導(dǎo)體器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110138657.0
• 申請日: 2011-05-26
• 公開（公告）號: CN102214583A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳雪萌
• 申請（專利權(quán)）人: 上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陳亮

1.一種深槽高壓終端結(jié)構(gòu)的制作方法，包括步驟：

提供半導(dǎo)體襯底，其上依次形成有高壓半導(dǎo)體器件、覆蓋所述高壓半導(dǎo)體器件的氧化層以及圖形化的互連線；

依次刻蝕所述氧化層和半導(dǎo)體襯底，在所述高壓半導(dǎo)體器件兩側(cè)分別形成深槽，所述深槽刻蝕掉一部分阱區(qū)并延伸至所述半導(dǎo)體襯底中；

在所述氧化層表面涂覆阻擋材料，所述深槽也會被同步填滿；

在所述高壓半導(dǎo)體器件的引線孔的位置刻蝕所述阻擋材料，露出底部的互連線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的終端結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為N型硅襯底，所述阱區(qū)為P阱。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的終端結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述氧化層采用干法刻蝕法去除，刻蝕氣體包括CF₄。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的終端結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述N型硅襯底采用深反應(yīng)離子刻蝕法去除，刻蝕氣體包括CF₄、SF₆和O₂。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的終端結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述高壓半導(dǎo)體器件為VDMOS或者IGBT。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的終端結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述阻擋材料為聚酰亞胺。

7.一種高壓半導(dǎo)體器件，形成于半導(dǎo)體襯底上，高壓半導(dǎo)體器件高壓半導(dǎo)體器件包括：

位于所述半導(dǎo)體襯底上的柵極；

分別位于所述柵極兩側(cè)的器件阱區(qū)；

覆蓋所述半導(dǎo)體襯底和柵極的氧化層，其上布有圖形化的互連線；

分別位于所述器件阱區(qū)兩側(cè)的深槽，所述深槽刻蝕一部分阱區(qū)并延伸至所述半導(dǎo)體襯底中；

覆蓋所述氧化層和填充所述深槽的阻擋材料，其中所述器件引線孔位置處的阻擋材料被去除并露出所述互連線。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高壓半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為N型硅襯底，所述阱區(qū)為P阱。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高壓半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述N型硅襯底采用深反應(yīng)離子刻蝕法刻蝕，刻蝕氣體包括CF₄、SF₆和O₂。

10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的高壓半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述高壓半導(dǎo)體器件為VDMOS或者IGBT。

11.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的高壓半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述阻擋材料為聚酰亞胺。