[發明專利]多晶Si1-xGex/金屬并列覆蓋雙柵SSGOI nMOSFET器件結構無效
| 申請號： | 201110134448.9 | 申請日： | 2011-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN102208448A | 公開（公告）日： | 2011-10-05 |
| 發明（設計）人： | 宋建軍;王冠宇;張鶴鳴;胡輝勇;宣榮喜;周春宇 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 710071 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 si sub ge 金屬 并列 覆蓋 ssgoi nmosfet 器件 結構 | ||
1.一種多晶Si1-xGex/金屬并列覆蓋雙柵SSGOI?nMOSFET器件結構，自上而下依次包括：
多晶Si1-xGex/金屬并列覆蓋雙柵結構；
柵絕緣層；
本征或者p-摻雜應變Si電子量子阱層；
p摻雜弛豫Si1-yGey緩沖層；
臺階式埋氧層；
p-摻雜的襯底，所述p-摻雜的單晶Si(100)襯底由p弛豫Si1-yGey緩沖層、p弛豫SiGe漸變層以及單晶Si三部分組成。
2.如權利1所述的SSGOI?nMOSFET器件結構，其特征在于，所述的多晶Si1-xGex/金屬并列覆蓋雙柵結構包括多晶Si1-xGex柵極和金屬柵極，多晶Si1-xGex柵極完全被金屬柵極所包含覆蓋，多晶Si1-xGex柵極位于靠近源極的一側，金屬柵極位于靠近漏極的一側，兩種柵極并列接觸形成異質雙柵，并且多晶Si1-xGex柵極的功函數Wpoly與金屬柵極的功函數Wgate二者必須滿足Wpoly＞Wgate。
3.如權利2所述的SSGOI?nMOSFET器件結構，其特征在于，使用直角折角形的覆蓋式柵結構，即多晶Si1-xGex柵極完全被直角折角形的金屬柵極所包含覆蓋。
4.如權利2所述的SSGOI?nMOSFET器件結構，其特征在于，多晶Si1-xGex柵極為控制柵(Control-Gate)，其功函數Wpoly可以擬合為關于柵極Ge組分x的連續函數，由此可以根據具體設計要求靈活調整器件的閾值電壓。
5.如權利1所述的SSGOI?nMOSFET器件結構，其特征在于，所述臺階式埋氧層采用臺階式結構，并且氧化層的臺階高度小于所述臺階式埋氧層的厚度，氧化層的臺階寬度等于溝道長度。
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