[發(fā)明專利]用于超厚頂層金屬的雙大馬士革制造工藝

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110123682.1
• 申請(qǐng)日: 2011-05-13
• 公開（公告）號(hào): CN102420171A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姬峰;李磊;胡有存;陳玉文;張亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種用于超厚頂層金屬的雙大馬士革制造工藝，其特征在于，硅片上沉積有多層介電層，最底層的介電層與所述硅片之間以及任意兩相鄰的介電層之間均設(shè)有介電阻擋層，最頂層的介電層上沉淀有金屬硬掩模；在所述金屬硬掩模上旋涂光刻膠，光刻形成溝槽圖形；進(jìn)行干法刻蝕，打開金屬硬掩模，去除光阻；通過旋涂光刻膠，光刻形成通孔圖形；通過多次干法刻蝕工藝，使通孔的底部穿過最底層的介電層與所述硅片之間的介電阻擋層，到達(dá)所述硅片，且形成的溝槽止于最底層的介電層；淀積金屬阻擋層和銅籽晶層，將電鍍銅填滿通孔和溝槽；進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨平坦化，去除多余金屬。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于超厚頂層金屬的雙大馬士革制造工藝，其特征在于，在所述硅片上進(jìn)行所述介電層與所述介電阻擋層的沉積的次序具體為：硅片上依次沉淀一第一介電阻擋層、一第一介電層、一第二介電阻擋層、一第二介電層、一第三介電阻擋層、一第三介電層和一金屬硬掩模。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于超厚頂層金屬的雙大馬士革制造工藝，其特征在于，所述多次干法刻蝕工藝具體包括：干法刻蝕通孔，使通孔止于第三介電阻擋層，去除光阻；進(jìn)行干法刻蝕，打開通孔底部的第三介電阻擋層；進(jìn)行干法刻蝕，溝槽刻蝕止于第三介電阻擋層，通孔止于第二介電阻擋層；進(jìn)行干法刻蝕，去除溝槽底部的第三介電阻擋層，打開通孔底部的第二介電阻擋層；進(jìn)行干法刻蝕，溝槽止于第二介電阻擋層，通孔止于第一介電阻擋層；進(jìn)行干法刻蝕，打開通孔底部的第一介電阻擋層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于超厚頂層金屬的雙大馬士革制造工藝，其特征在于，所述最上層的介電層與所述金屬硬掩模之間還沉淀有一介電保護(hù)層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于超厚頂層金屬的雙大馬士革制造工藝，其特征在于，在步驟通孔止于第三介電阻擋層和步驟打開通孔底部的第三介電阻擋層之間還包括：去除介電保護(hù)層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于超厚頂層金屬的雙大馬士革制造工藝，其特征在于，所述多層介電層均通過化學(xué)氣相淀積二氧化硅形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于超厚頂層金屬的雙大馬士革制造工藝，其特征在于，所述最底層的介電層為通孔介電層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于超厚頂層金屬的雙大馬士革制造工藝，其特征在于，除所述最底層的介電層之外的介電層均為溝道介電層。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于超厚頂層金屬的雙大馬士革制造工藝，其特征在于，工藝步驟：干法刻蝕，溝槽止于第二介電阻擋層，通孔止于第一介電阻擋層和工藝步驟：干法刻蝕，溝槽刻蝕止于第三介電阻擋層，通孔止于第二介電阻擋層，兩工藝步驟均采用高選擇比刻蝕工藝，以控制通孔的尺寸。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的用于超厚頂層金屬的雙大馬士革制造工藝，其特征在于，在所述多次干法刻蝕工藝中還包括濕法清洗工藝，以去除積聚過多的聚合物。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于超厚頂層金屬的雙大馬士革制造工藝，其特征在于，所述進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨平坦化，去除多余金屬的工藝步驟中包括去除金屬硬掩模。

12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于超厚頂層金屬的雙大馬士革制造工藝，其特征在于，所述進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨平坦化，去除多余金屬的工藝步驟中包括去除介電保護(hù)層。