[發明專利]白光LED芯片制作工藝及其產品

無效

• 申請號: 201110122401.0
• 申請日: 2011-05-12
• 公開（公告）號: CN102208499A
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發明（設計）人: 殷仕樂
• 申請（專利權）人: 深圳市瑞豐光電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/50
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種白光LED芯片制作工藝，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一，將依次層疊設有藍寶石襯底、N-GaN層、LED發光層、P-GaN層的基板切割成合適的尺寸；

步驟二，在切割后的基板上制作出透明電極層，并采用蝕刻法將P-GaN層露出，以便制作N電極；

步驟三，在透明電極層上制作出P電極，在N-GaN層上制作出N電極；

步驟四，采用激光切割出切割道，切割深度至基板的藍寶石襯底；

步驟五，在芯片上增設一可以將藍光激發為白光的熒光粉硅膠層；

步驟六，在所述熒光粉硅膠層上涂布光阻層；

步驟七，通過顯影、刻蝕工藝除去所述P電極和N電極上的光阻層；

步驟八，除去所述P電極和N電極上的熒光粉硅膠層；

步驟九，除去所述熒光粉硅膠層上的光阻層，得到白光LED芯片。

2.根據權利要求1所述的白光LED芯片制作工藝，其特征在于，在所述步驟九之后還包括步驟十：將步驟八得到的白光LED芯片分離成單晶LED。

3.根據權利要求1所述的白光LED芯片制作工藝，其特征在于，所述步驟二中的蝕刻法為濕式蝕刻法和干式蝕刻法。

4.根據權利要求1所述的白光LED芯片制作工藝，其特征在于，所述步驟四順次包括涂布、光刻、蝕刻、烘烤。

5.根據權利要求2所述的白光LED芯片制作工藝，其特征在于，所述步驟九順次包括研磨、拋光、切割、劈裂工藝。

6.一種由權利要求1至5所述的工藝制作的白光LED芯片，包括依序層疊設置的藍寶石襯底、N-GaN層、LED發光層、P-GaN層、透明電極層，以及制作于所述透明電極層上的P-電極和制作于所述N-GaN層上的N-電極，其特征在于，所述透明電極層上設有熒光粉硅膠層。

7.根據權利要求6所述的白光LED芯片，其特征在于，所述的熒光粉硅膠層的厚度為10μm-80μm。

8.根據權利要求6或者7所述的白光LED芯片，其特征在于，所述的白光LED芯片的側面還設置有熒光粉硅膠層。