[發明專利]清洗組合物、半導體裝置的制造方法及清洗方法

有效

• 申請號: 201110122345.0
• 申請日: 2011-05-09
• 公開（公告）號: CN102242025A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: 稻葉正;高橋和敬;高橋智威;水谷篤史
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: C11D7/32
• 分類號: C11D7/32;C11D7/26;B08B3/00;H01L21/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種清洗組合物，其特征在于，

所述清洗組合物為用于除去形成于半導體基板上的等離子蝕刻殘渣及/或灰化殘渣的清洗組合物，其pH為6～9，且包括：

成分a，即水；

成分b，即胺化合物；

成分c，即羥胺及/或其鹽；

成分d，即季銨化合物；

成分e，即有機酸；以及

成分f，即水溶性有機溶劑。

2.如權利要求1所述的清洗組合物，其中，

成分b為碳原子數3～16的脂肪族胺。

3.如權利要求1或2所述的清洗組合物，其中，

成分b為選自碳原子數3～16烷基胺、及碳原子數3～16的二烷基胺中的至少1種化合物。

4.如權利要求1或2所述的清洗組合物，其中，

成分b為選自2-乙基己基胺、二乙基胺、正丁基胺、3-甲氧基丙胺、叔丁基胺、芐基胺、正己基胺、環己基胺、正辛基胺、N-甲基-N-丁基胺、N-(3-氨基丙基)嗎啉、2-氨基乙醇、鄰苯二甲胺、間苯二甲胺、對苯二甲胺、及正十二烷基胺中的至少1種化合物。

5.如權利要求1或2所述的清洗組合物，其中，

成分c為選自羥胺、羥胺硫酸鹽、羥胺鹽酸鹽、羥胺硝酸鹽、及羥胺磷酸鹽中的至少1種化合物。

6.如權利要求1或2所述的清洗組合物，其中，

成分d為四烷基氫氧化銨。

7.如權利要求1或2所述的清洗組合物，其中，

成分e為選自乳酸、檸檬酸、蟻酸、草酸、乙酸、丙酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、馬來酸、富馬酸、苯二甲酸、乙醇酸、葡萄糖酸、水楊酸、酒石酸、及蘋果酸中的至少1種化合物。

8.如權利要求1或2所述的清洗組合物，其中，

成分e為具有羥基的羧酸。

9.如權利要求1或2所述的清洗組合物，其中，

成分f為選自二丙二醇、2-甲基-2，4-戊二醇、1，3-丁二醇、1，2-環己二醇、2-丁醇、2，3-二甲基-2，3-丁二醇、甘油、丙二醇單甲醚、及二乙二醇中的至少1種化合物。

10.如權利要求1或2所述的清洗組合物，其中，

等離子蝕刻殘渣及/或灰化殘渣為含有選自鋁、銅及鎢中的至少1種金屬的殘渣。

11.如權利要求1或2所述的清洗組合物，其中，

其用于除去等離子蝕刻殘渣及灰化殘渣。

12.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，其包括如下的工序：

對半導體基板進行等離子蝕刻的蝕刻工序及/或對半導體基板進行灰化的灰化工序，以及

對半導體基板利用用于除去形成于半導體基板上的等離子蝕刻殘渣及/或灰化殘渣的清洗組合物對在蝕刻工序及/或灰化工序中形成于半導體基板上的等離子蝕刻殘渣及/或灰化殘渣進行清洗的清洗工序，

其中，所述清洗組合物的pH為6～9，且包括

成分a即水、

成分b即胺化合物、

成分c即羥胺及/或其鹽、

成分d即季銨化合物、

成分e即有機酸、以及

成分f即水溶性有機溶劑。

13.如權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述半導體基板含有鋁、銅及/或鎢。

14.一種清洗方法，其特征在于，其包括如下的工序：

對用于除去形成于半導體基板上的等離子蝕刻殘渣及/或灰化殘渣的清洗組合物進行調制的調制工序、以及利用所述清洗組合物對形成于半導體基板上的等離子蝕刻殘渣及/或灰化殘渣進行清洗的清洗工序，

其中，所述清洗組合物的pH為6～9，且包括

成分a即水、

成分b即胺化合物、

成分c即羥胺及/或其鹽、

成分d即季銨化合物、

成分e即有機酸、以及

成分f即水溶性有機溶劑。

15.如權利要求14所述的清洗方法，其中，

所述半導體基板含有鋁、銅及/或鎢。