[發明專利]一種交換耦合介質L10-FePt/[Co/Ni]N及其制備方法

無效

• 申請號: 201110121247.5
• 申請日: 2011-05-11
• 公開（公告）號: CN102280113A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 馬斌;廖嘉霖;郭紅華;張宗芝;金慶原
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84;G11B5/66;G11B5/851
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種交換耦合復合介質，其特征在于為一種復合薄膜，是在（001）取向的L1_0?FePt薄膜的表面，沉積Co/Ni多層膜以及一非磁性Pt薄層而組成，記為L1₀-FePt/[Co/Ni]_N，N為復合膜Co/Ni的周期數。

2.根據權利要求1所述的交換耦合復合介質，其特征在于所述Co?層的厚度在0.16?nm至0.41?nm之間，Ni層的厚度在0.47?nm至0.89?nm之間。

3.一種交換耦合復合介質L1₀-FePt/[Co/Ni]_N的制備方法方法，其特征在于具體步驟為：

（1）通過磁控濺射的方式在基板上沉積一層（001）取向的L1₀相FePt薄膜；

（2）抽真空，使濺射腔室的本底氣壓降到小于3×10^-8?Torr?；在L1₀?FePt薄膜冷卻至室溫后，在其上沉積Co/Ni多層膜,具體過程為：以氬氣作為工作氣體，通入濺射腔室，使濺射氣壓保持在5.0-8.0?mTorr，然后交替打開擋板，交替濺射Co和Ni層；控制Co?層的厚度在0.16?nm至0.41?nm之間，Ni層的厚度在0.47?nm至0.89?nm之間；以一層Co和一層Ni為一周期，周期數N由所需要的矯頑力決定；

（3）在不改變濺射條件的情況下，再濺射一層和步驟（2）中Co層厚度相同的Co層；

（4）之后，在5.0-8.0?mTorr條件下濺射一層Pt層，該?Pt層的厚度為0.3?nm至3.0?nm。