[發明專利]一種柵極刻蝕方法

有效

• 申請號: 201110120723.1
• 申請日: 2011-05-11
• 公開（公告）號: CN102779741A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 孟曉瑩;周俊卿;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/3213
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種柵極制作方法，應用于具有多晶硅層和硬掩膜層的晶片上，其特征在于，該方法包括，

在所述硬掩膜層上沉積氮化鈦層；

光刻后在所述氮化鈦層上形成光刻圖案，以所述光刻圖案為掩膜依次第一刻蝕所述氮化鈦層和第二刻蝕所述硬掩膜層，分別形成覆蓋層和硬掩膜，露出所述多晶硅層；

灰化去除所述覆蓋層上殘留的光刻圖案；

以所述覆蓋層和硬掩膜層為掩膜，第三刻蝕所述多晶硅層，形成柵極；

濕法刻蝕去除所述覆蓋層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜層是氮化硅層和二氧化硅層中的一種或兩種組合。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化鈦層的厚度范圍是100到300埃。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積氮化鈦層是化學氣相沉積。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一刻蝕是等離子體刻蝕，所用第一刻蝕氣體是氯氣；所述第一刻蝕氣體流量范圍是10到100標況毫升每分；所述第一刻蝕氣體的偏壓范圍是50到150伏特；所述等離子體刻蝕的反應室內的壓強范圍是1到10毫托；所述等離子體刻蝕的反應室內的溫度范圍是10到100攝氏度；所述第一刻蝕氣體的第一偏轉功率的范圍是400到700瓦特。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二刻蝕是等離子體刻蝕，所用第二刻蝕氣體是四氟化碳、三氟氫化碳、二氟二氫化碳和氟三氫化碳(CH₃F)中的一種或多種組合；第二刻蝕氣體流量范圍是50到150標況毫升每分；所述第二刻蝕氣體的偏壓范圍是200到300伏特；等離子體刻蝕的反應室內的壓強范圍是1到10毫托；所述等離子體刻蝕的反應室內的溫度范圍是10到100攝氏度；所述第二刻蝕氣體的第二偏轉功率的范圍是200到500瓦特。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三刻蝕是等離子體刻蝕，所用的第三刻蝕氣體是溴化氫氣體和氧氣的混合氣體；所述溴化氫氣體流量范圍是100到300標況毫升每分；所述氧氣流量范圍是1到標況毫升每分；所述第三刻蝕氣體的偏轉功率是0瓦特；所述等離子體刻蝕的反應室內的壓強范圍是1到50毫托；所述等離子體刻蝕的反應室內溫度范圍是10到100攝氏度。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕所用的刻蝕溶液是氨水、雙氧水和水以體積比為1∶2∶5組成的混合溶液；所述刻蝕溶液的溫度范圍是50到80攝氏度。