[發明專利]一種超材料單元結構的推演方法和裝置

有效

• 申請號: 201110111990.2
• 申請日: 2011-04-30
• 公開（公告）號: CN102768688A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 劉若鵬;欒琳;劉斌;季春霖
• 申請（專利權）人: 深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創新技術有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種超材料單元結構的推演方法，所述單元結構由一組幾何參數來定義，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

S1：預設所述單元結構的幾何參數的數值范圍；

S2：在預設的數值范圍內，選擇多個試驗點，每個試驗點對應一組幾何參數值；

S3：預設單元結構對應的適應度函數；

S4：采用自適應重要性采樣方法，在幾何參數空間搜索最優參數值，使得所述適應度函數值最大。

2.根據權利要求1所述的超材料單元結構的推演方法，其特征在于，所述步驟S2具體包括：在預設的數值范圍內，采用正交試驗設計原理選擇多個試驗點，每個試驗點對應一組所述單元結構的幾何參數值。

3.根據權利要求1所述單元結構的推演方法，其特征在于，所述適應度函數表示為：

y(g)=1|S(g)-Starget|;]]>

其中，g表示單元結構幾何參數，S(g)表示單元結構幾何參數g所對應的電磁響應參數值，S_target為目標電磁響應參數值。

4.根據權利要求2所述的超材料單元結構的推演方法，其特征在于，所述適應度函數表示為：

y(g)=1|S(g)-Starget|2;]]>

其中，g表示單元結構幾何參數，S(g)表示單元結構幾何參數g所對應的電磁響應參數值，S_target為目標電磁響應參數值。

5.根據權利要求3或4所述的超材料單元結構的推演方法，其特征在于，所述目標電磁響應參數值為常數。

6.一種超材料單元結構的推演裝置，所述單元結構由一組幾何參數來定義，其特征在于，所述推演裝置包括：

初始化模塊：用于預設所述單元結構的幾何參數的數值范圍；

試驗點選定模塊：用于在初始化模塊預設的數值范圍內，選擇多個試驗點，每個試驗點對應一組幾何參數；

目標函數設定模塊：用于預設單元結構對應的適應度函數；

優化搜索模塊：用于采用自適應重要性采樣方法，在幾何參數空間搜索最優參數值，使得適應度函數最大。

7.根據權利要求5所述的超材料單元結構的推演裝置，其特征在于，所述試驗點選定模塊具體用于在預設的數值范圍內，采用正交試驗設計原理選擇多個試驗點，每個試驗點對應一組所述單元結構的幾何參數值。