[發(fā)明專利]一種陶瓷電路板及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110110725.2 | 申請日： | 2011-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN102762037A | 公開（公告）日： | 2012-10-31 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張保祥;林信平;任永鵬;徐強 | 申請（專利權）人： | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號： | H05K3/18 | 分類號： | H05K3/18;H05K1/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518118 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 陶瓷 電路板 及其 制造 方法 | ||
1.一種陶瓷電路板的制造方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
S1?在陶瓷板表面沉積銅層；
S2?將銅層完全氧化，形成氧化銅層；
S3?用激光根據預先設計的電路圖在該氧化銅層上蝕刻形成正相圖形，所述激光蝕刻的深度與氧化銅層的厚度相同；
S4?將形成有正相圖形的陶瓷板放入化學鍍銅溶液中進行化學鍍銅；
S5?將鍍有一定厚度銅的陶瓷板表面的將氧化銅全部去除而保留表面的銅，即在陶瓷板表面形成了電路。
2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述在陶瓷板表面沉積銅的方法為初步化學鍍銅。
3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于：在初步化學鍍銅之前對陶瓷板進行活化。
4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述在陶瓷板表面沉積銅的方法為蒸發(fā)鍍銅或濺射鍍銅。
5.根據權利要求1-4任意一項所述的制造方法，其特征在于：所述沉積銅層的厚度為0.2-2μm。
6.根據權利要求1-4任意一項所述的制造方法，其特征在于：步驟S2是將沉積有銅的陶瓷板放置在300-800℃空氣中氧化10-30min。
7.根據權利要求1-4任意一項所述的制造方法，其特征在于：所述步驟S3中所用激光的波長為1064nm，功率為12-17W，頻率為2-10KHz，速度為3-5m/s。
8.根據權利要求1-4任意一項所述的制造方法，其特征在于：所述激光的光斑為0.05-0.01?mm。
9.根據權利要求1-4任意一項所述的制造方法，其特征在于：所述化學鍍銅層的厚度為10-15μm。
10.根據權利要求1-4任意一項所述的制造方法，其特征在于：去處陶瓷板表面的氧化銅的方法為，將其放入稀硫酸或鹽酸中進行蝕刻。
11.一種陶瓷電路板，其特征在于：所述陶瓷電路板由權利要求1所述的方法制造得到。
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