[發明專利]上電復位電路及其復位方法

有效

• 申請號: 201110109551.8
• 申請日: 2011-04-28
• 公開（公告）號: CN102761322A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 黃雷
• 申請（專利權）人: 飛兆半導體公司
• 主分類號: H03K17/22
• 分類號: H03K17/22
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明

1.一種上電復位電路，其特征在于，包括自偏置模塊、反饋模塊、比較模塊和開關模塊，其中，

所述自偏置模塊，與所述比較模塊相連，用于啟動后向所述比較模塊的一個輸入端提供穩定電壓V_NG；

所述反饋模塊，與所述比較模塊相連，用于向所述比較模塊的另一輸入端提供電壓V_FB；

所述比較模塊，其輸出端通過一個反相器與所述自偏置模塊的使能端相連，且經電容C₀接地，用于比較V_FB與V_NG的大小，并在V_FB小于V_NG的情況下，輸出低電平，在V_FB大于V_NG的情況下，輸出高電平；

所述開關模塊，與所述比較模塊的輸出端和所述反相器的輸出端相連，用于通過開關的導通和關閉，鎖存所述反相器的輸入輸出狀態。

2.根據權利要求1所述的復位電路，其特征在于，所述反饋模塊包括以下之一：電源電壓V_CC電阻分壓電路、電流源充電電路、帶隙電路。

3.根據權利要求2所述的復位電路，其特征在于，所述自偏置模塊還用于在所述反饋模塊為電流源充電電路的情況下，為所述反饋模塊提供啟動電流。

4.根據權利要求1所述的復位電路，其特征在于，所述自偏置模塊由NMOS管和PMOS管組成，其中，所述NMOS管和所述PMOS管的選取，決定V_NG的大小。

5.根據權利要求1所述的復位電路，其特征在于，所述比較模塊由比較器組成，所述比較器的閾值為自偏置模塊產生的可調諧基準電壓。

6.根據權利要求1所述的復位電路，其特征在于，所述開關模塊為一個PMOS管，其中，所述PMOS管的源極與電源電壓V_CC相連，所述PMOS管的漏極與所述比較模塊的輸出端相連，所述PMOS管的柵極與所述自偏置模塊的使能端相連。

7.根據權利要求1所述的復位電路，其特征在于，所述自偏置模塊還包括：

保護單元，用于在所述自偏置模塊內部供電陡降時，斷開自偏置電路與電源電壓V_CC之間的連接，以保護所述自偏置模塊的穩定狀態。

8.根據權利要求7所述的復位電路，其特征在于，所述保護單元為一個PMOS管。

9.一種使用權利要求1至8中任一項所述復位電路的復位方法，其特征在于，包括以下步驟：

上電初期，所述開關模塊關閉，在C₀的作用下，所述比較模塊的輸出端的初始態電壓為低電平，則通過所述反相器的所述自偏置模塊的使能端為高電平，所述自偏置模塊啟動并產生穩定電壓V_NG，所述比較模塊打開；

上電后期，當所述反饋模塊輸出的V_FB大于V_NG時，所述比較模塊的輸出被上拉至高電平，且所述開關模塊導通，將該高電平鎖存，則通過所述反相器的所述自偏置模塊的使能端為低電平，所述自偏置模塊截止。

10.一種上電復位電路的復位方法，其特征在于，包括以下步驟：

設置自偏置模塊，所述自偏置模塊與比較模塊相連，用于啟動后向所述比較模塊的一個輸入端提供穩定電壓V_NG；

設置所述反饋模塊，所述反饋模塊與所述比較模塊相連，用于向所述比較模塊的另一輸入端提供電壓V_FB；

設置所述比較模塊，所述比較模塊的輸出端通過一個反相器與所述自偏置模塊的使能端相連，且經電容C₀接地，用于比較V_FB與V_NG的大小，并在V_FB小于V_NG的情況下，輸出低電平，在V_FB大于V_NG的情況下，輸出高電平；

設置開關模塊，所述開關模塊與所述比較模塊的輸出端和所述反相器的輸出端相連，用于通過開關的導通和關閉，鎖存所述反相器的輸入輸出狀態。