[發明專利]一種光致抗蝕劑的剝離液組合物

無效

• 申請號: 201110109548.6
• 申請日: 2011-04-29
• 公開（公告）號: CN102221791A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發明（設計）人: 張軍;常積東;李承孝
• 申請（專利權）人: 西安東旺精細化學有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 徐平

技術領域

本發明涉及一種光致抗蝕劑的剝離液組合物，尤其適用于封裝基板的厚度為100μm以上的光致抗蝕劑膜的剝離，也適用于PCB等的光致抗蝕劑膜的剝離。

背景技術

在PCB、FPC、TFT、LCD的制程中，線路圖形的轉移時必須的步驟。在實現線路圖形轉移，光致抗蝕劑的使用起著至關重要的作用。在“成像”完成后，光致抗蝕劑膜能否順利完全去除，直接影響著蝕刻等后工序。常用的光致抗蝕劑膜的厚度為30μm、40μm。封裝基板制程中還采用厚度為100u、120μm的光致抗蝕劑膜。對于薄干膜的剝離，中國專利CN1428659A中提出季銨氫氧化物、水溶性胺、水溶性有機溶劑組合物剝離光致抗蝕劑膜。中國專利CN101692155A提出了一種包含環胺或/和二胺、乙二醇醚類、極性溶劑的光致抗蝕劑膜剝離組合物。另外，中國專利CN101544932A中提出了含有羥胺、溶劑、胺的光致抗蝕劑膜剝離組合物。對于大于100μm的厚干膜，用現有的剝離方法，在較低溫度(40-50℃)、較短時間(30min以內)難以完全退除干凈。雖然通過延長接觸時間，提高工作溫度，或者增加溶液的攻擊性可以使剝離效果得到改善，但是也帶來新問題，如生產效率降低，設備負荷增加，基材腐蝕加重。

發明內容

本發明提供一種光致抗蝕劑的剝離液組合物，尤其適用于封裝基板的厚度為100μm以上的光致抗蝕劑膜的剝離，以克服現有技術剝離方法無法完全將光致抗蝕劑膜退除干凈、且容易使基材腐蝕加重等技術問題。

本發明的技術方案如下：

一種光致抗蝕劑的剝離液組合物，包含

(1)無機堿，含量為1wt％-25wt％；

(2)氨水或/和至少一種銨鹽，含量為0.1-30wt％；

(3)防腐蝕劑，含量為0.1-15wt％；

(4)余量為水。

上述的無機堿優選氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰中的一種或兩種，實際上，一般常用的無機堿均能夠應用于本發明。

上述的銨鹽優選硫酸銨、硫酸氫胺、亞硫酸銨、亞硫酸氫銨、硝酸銨、碳酸銨、碳酸氫銨、氯化銨、溴化銨、氟化銨、磷酸銨、氨基磺酸銨、甲酸銨、乙酸銨、草酸銨、檸檬酸銨、苯甲酸銨、二硫代氨基甲酸銨中的一種或兩種。實際上，一般常用的銨鹽均能夠應用于本發明。

上述的防腐蝕劑優選芳香族羥基化合物或/和唑類化合物中的至少一種。

上述芳香族羥基化合物優選沒食子酸、單寧酸、植酸、鄰苯二酚、對苯二酚中的至少一種，唑類化合物選擇三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑中的至少一種。實際上，一般常用的芳香族羥基化合物和唑類化合物均能夠應用于本發明。

本發明的剝離液組合物的較佳的配方為：

(1)無機堿，含量為5-20wt％；

(2)氨水或/和至少一種銨鹽，含量為1-25wt％；

(3)防腐蝕劑，含量為0.3-10wt；

(4)余量為水。

本發明的剝離液組合物的更佳的配方為：

(1)無機堿，含量為8-15wt％；

(2)氨水或/和至少一種銨鹽，含量為5-20wt％；

(3)防腐蝕劑，含量為0.5-8wt％；

(4)余量為水。

本發明光致抗蝕劑的剝離液組合物，用于封裝基板的光致抗蝕劑膜的剝離。

本發明光致抗蝕劑的剝離液組合物，用于PCB、FPC、TFT、LCD的光致抗蝕劑膜的剝離。

本發明具有以下優點：

1、對于厚度為100μm以上的光致抗蝕劑膜的剝離效果優秀。

2、實施溫度低(40-50℃)、時間短(＜30min)。

3、低成本，使用條件簡單，通過優化工藝，可達到成本最少化。

4、不含揮發性有機化合物，環境友好。

具體實施方式

本發明的光致抗蝕劑剝離劑組合物是含有無機堿、氨水和銨鹽的至少一種、防腐蝕劑以及水的組合物。

本發明中所述的無機堿包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰中的1種或2種。所述無機堿的含量為1wt％-25wt％.，優選5-20wt％，更優選8-15wt％.濃度小于1wt％時，起不到有效剝離光致抗蝕劑膜的作用；大于25wt％時，會使基材腐蝕加重。