[發明專利]一種CdS/Cd(OH)2復合納米線及其制備方法有效
| 申請號: | 201110093312.8 | 申請日: | 2011-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN102181283A | 公開(公告)日: | 2011-09-14 |
| 發明(設計)人: | 劉瑞剛;王文;劉偉麗;黃勇 | 申請(專利權)人: | 中國科學院化學研究所 |
| 主分類號: | C09K11/56 | 分類號: | C09K11/56;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人: | 關暢 |
| 地址: | 100080 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 cds cd oh sub 復合 納米 及其 制備 方法 | ||
1.一種制備CdS/Cd(OH)2復合納米線的方法,包括下述步驟:
1)將鎘鹽、單體、紫外光引發劑和乙基氰乙基纖維素混合,溶解均勻,得到混合液;其中,所述鎘鹽為丙烯酸鎘或甲基丙烯酸鎘,所述單體為丙烯酸或甲基丙烯酸;
2)將所述混合溶液制成溶液薄膜;
3)將所述溶液薄膜置于紫外光源下輻照,使溶液薄膜中的單體聚合,得到乙基氰乙基纖維素/聚丙烯酸/鎘鹽復合膜或乙基氰乙基纖維素/聚甲基丙烯酸/鎘鹽復合膜;
4)將乙基氰乙基纖維素/聚丙烯酸/鎘鹽復合膜或乙基氰乙基纖維素/聚甲基丙烯酸/鎘鹽復合膜用H2S氣體進行處理,得到乙基氰乙基纖維素/聚丙烯酸/硫化鎘納米晶體復合膜或乙基氰乙基纖維素/聚甲基丙烯酸/硫化鎘納米晶體復合膜;
5)將所述乙基氰乙基纖維素/聚丙烯酸/硫化鎘納米晶體復合膜或乙基氰乙基纖維素/聚甲基丙烯酸/硫化鎘納米晶體復合膜在有氧條件下進行燒結,得到CdS/CdO納米顆粒;
6)將所述CdS/CdO納米顆粒分散于去離子中或去離子水與乙醇的混合溶液中,得到CdS/CdO納米顆粒分散液,再對分散液進行超聲處理,得到CdS/Cd(OH)2復合納米線。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于:所述步驟1)中,所述鎘鹽、單體、紫外光引發劑以及乙基氰乙基纖維素的質量比為(0.2-1)∶(5-25)∶(0.05-0.2)∶(5-15)。
3.根據權利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述步驟1)中,所述紫外光引發劑選自下述任意一種:2-羥基-2-甲基苯丙酮、1-羥基環己基苯基甲酮、2-甲基-2-(4-嗎啉基)-1-[4-(甲硫基)苯基]-1-丙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦、和2-羥基-2-甲基-1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]-1-丙酮;所述乙基氰乙基纖維素的分子量為1000-100000Da。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法,其特征在于:所述步驟1)中將鎘鹽、單體、紫外光引發劑和乙基氰乙基纖維素混合的方法具體如下:先將鎘鹽、單體和紫外光引發劑混合均勻,再與乙基氰乙基纖維素混合,室溫下密閉避光放置5天以上使乙基氰乙基纖維素溶解均勻,得到混合溶液。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的方法,其特征在于:所述步驟2)中,所述溶液薄膜的厚度為10-500μm;所述步驟3)中,所述紫外光源的強度為1-100mW/cm2,所述輻照的時間為5-20min。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的方法,其特征在于:所述步驟4)中,所述用H2S氣體進行處理的時間為10-40小時。
7.根據權利要求1-6中任一項所述的方法,其特征在于:所述步驟5)中,所述燒結的溫度為350-1000℃,優選400-600℃;所述燒結的時間為2-48小時。
8.根據權利要求1-7中任一項所述的方法,其特征在于:所述步驟6)中,所述CdS/CdO納米顆粒分散液中CdS/Cd0納米晶體的含量為1mg/ml-200mg/ml,優選10mg/ml-100mg/ml;所述去離子水與乙醇的混合溶液中去離子水與乙醇的質量比為(2-8):(8-1);所述超聲處理中,超聲波功率為10瓦-200瓦,超聲處理的時間為2-24小時。
9.權利要求1-8中任一項所述方法制備得到的CdS/Cd(OH)2復合納米線。
10.根據權利要求9所述的CdS/Cd(OH)2復合納米線,其特征在于:所述CdS/Cd(OH)2復合納米線的直徑為2-100納米,優選10-50納米;長度為50納米-100微米,優選1-50微米;所述CdS/Cd(OH)2納米線中的CdS納米晶體的百分含量為1-70%。
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