[發明專利]消除組織培養苗污染的方法

無效

• 申請號: 201110090612.0
• 申請日: 2011-04-12
• 公開（公告）號: CN102726290A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 史淑一;林麗麗;辛秀琛;張曰秋;王紅艷;姜寧;張志芬
• 申請（專利權）人: 山東省煙臺農業學校
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種消除組織培養苗污染的方法，具體的是一種用次氯酸鈉消除組織培養苗污染的方法。

背景技術

在植物組培過程中，污染現象是目前組培過程中三大難題之一，由于各種原因，造成組培苗出現細菌污染，被污染后的組織培養苗一般是棄之另作，造成生產成本的提高和農時的延誤，對植株資源的保存往往造成無法挽回的損失。目前組培中，采用抗生素進行殺菌處理，但至今并未發現那種抗生素能夠對各種菌都有效，效果不理想，還有的采用氯化汞進行防治，但是氯化汞在使用以后，容易造成環境的二次污染，與其比較這種方法更為優選。

發明內容

本發明的目的是提供一種消除組織培養苗污染的方法，以解決現有技術存在的滅菌效果不理想、操作復雜、容易造成二次污染和不具備推廣價值的問題。本發明的技術方案是：一種消除組織培養苗污染的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)將培養組織培養苗的培養基中加入次氯酸鈉溶液；

(2)將污染的組織培養苗接轉到含有次氯酸鈉溶液的培養基上；

(3)重復步驟(1)和(2)，經過數次接轉以后，即可消除污染；

(4)對消除污染的組織培養苗進行培養即可。

所述的每次接轉周期為5-25天。

所述的次氯酸鈉溶液的濃度為5-50mg/L。

所述的培養基的PH值為5.5-5.8，略顯酸性。

上述的組織培養苗的培養溫度22-24℃，光照條件每天10-12小時，光照強度2000lx左右。

所述的培養基中次氯酸鈉濃度較高，殺菌效果好，所以濃度越大，接轉周期要越短，盡量避免對組培苗的傷害，根據培養基中次氯酸鈉的含量，安排接轉周期，一般次氯酸鈉濃度由低到高，接轉周期由長到短，根據組織培養苗的實際生長情況，調整接轉周期。

本發明的優點是：與其它抗生素比較，添加方便，可隨培養基高壓滅菌，與氯化汞比較，沒有二次污染，可有效的消除組培苗的污染，在組培苗物種保存和生產用苗快繁中，挽救污染組培苗，具有很大的生態效益和經濟效益。

具體實施方式

實施例1：日本大和芋組培苗污染的消除

日本大和芋的組培苗通過生長頂端分化培養獲得，接轉過程中，由于操作不當或內生菌造成組培苗污染，在根部或培養基表面出現菌斑。將污染的組培苗，通過正常的接轉技術，接轉到含有濃度為5mg/L次氯酸鈉的培養基中，使其培養基的PH值為5.5，使組織培養苗的培養條件：溫度22℃，光照條件每天12小時，光照強度2000lx，每10天為一個周期，經過一個周期后，根據菌斑和組培苗生長狀況，再將組織培養苗接轉到含有新的次氯酸鈉溶液的培養基上，如此循環3個周期后，消除污染，獲得健壯的組培苗。

實施例2：大花萱草組培苗污染的消除

將污染的大花萱草組培苗通過正常的接轉技術，接轉到含有濃度為20mg/L次氯酸鈉的培養基中，使其培養基的PH值為5.7，使組織培養苗的培養條件：溫度24℃，光照條件每天12小時，光照強度2000lx，每20天為一個周期，經過一個周期后，根據菌斑和組培苗生長狀況，再將組織培養苗接轉到含有新的次氯酸鈉溶液的培養基上，如此循環3個周期后，消除污染，獲得健壯的組培苗。

實施例子3：切花菊組培苗污染的消除

將污染的切花菊組培苗通過正常的接轉技術，接轉到含有濃度為50mg/L次氯酸鈉的培養基中，使其培養基的PH值為5.8，培養條件：溫度24℃，光照條件每天12小時，光照強度2000lx，每10天為一個周期，經過2個周期后，即可消除污染，獲得健壯的組培苗。